name: Исследование влияния электрического поля на процессы переноса и флуктуации носителей заряда в полупроводниковых барьерных структурах
keyword_list: НИЗКОЧАСТОТНЫЙ ШУМ, ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ БАРЬЕРНЫЕ СТРУКТУРЫ, МЕХАНИЗМЫ ПЕРЕНОСА ЗАРЯДА, ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА, ОКСИД ЦИНКА
abstract: Изучено влияние электрического поля на процессы переноса и флюктуации заряда в барьерных структурах металл - полупроводник на основе кремния, изготовленных по промышленной технологии, и тестовых гетероструктурах на основе микрокристаллических пленок оксида цинка и магния. При проведении исследований использованы автоматизированная установка для исследования материалов и барьерных структур, а также комплекс анализа спектроскопии адмиттанса и НЧ-шумов. Уточнена физическая модель понижения потенциального барьера на границе металл - полупроводник применительно к определению энергии ионизации глубокого центра. Получены новые данные об электрофизических характеристиках тонкопленочных гетероструктур на основе перспективных материалов с учётом технологических условий их формирования, и рассчитаны зонные диаграммы. Полученные результаты могут быть использованы при разработке оптоэлектронных приборов, солнечных элементов и полупроводниковых датчиков терагерцевого диапазона.
chairman_dissertation_council.surname: Чиркин М.В.
chairman_dissertation_council.position: ректор
chairman_dissertation_council.degree: Доктор физико-математических наук
organization_supervisor.surname: Чиркин М. В.
organization_supervisor.position: Ректор
organization_supervisor.degree: Доктор физико-математических наук
rubrics.code: 29.19.16
rubrics.name: Физика тонких пленок. Поверхности и границы раздела
rubrics.code: 29.19.23
rubrics.name: Теория электрических свойств твердых тел
rubrics.code: 29.19.31
rubrics.name: Полупроводники
oecds.code: 01.03.UB
oecds.name: PHYSICS, APPLIED
speciality_codes.name: Физика полупроводников
speciality_codes.code: 01.04.10
supervisors.fio: Холомина Т.А.
supervisors.scientific_degree: Доктор физико-математических наук
supervisors.speciality_code: Физика полупроводников
supervisors.responsible_type: Научный руководитель
opponents.fio: Андреев В.В.
opponents.scientific_degree: Доктор технических наук
opponents.speciality_code: Физика конденсированного состояния
opponents.responsible_type: Оппонент
opponents.fio: Трегулов В.В.
opponents.scientific_degree: Кандидат технических наук
opponents.speciality_code: Физика полупроводников
opponents.responsible_type: Оппонент
protection_organization.short_name: ФГБОУ ВО "РГРТУ", РГРТУ
protection_organization.name: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Рязанский государственный радиотехнический университет имени В.Ф. Уткина"
protection_organization.ogrn: 1026201104478
protection_organization.organization_type: Организация
protection_organization.okogu: Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
protection_organization.okopf: Федеральные государственные бюджетные учреждения
author_organization.short_name: ФГБОУ ВО "РГРТУ", РГРТУ
author_organization.name: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Рязанский государственный радиотехнический университет имени В.Ф. Уткина"
author_organization.ogrn: 1026201104478
author_organization.organization_type: Организация
author_organization.okogu: Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
author_organization.okopf: Федеральные государственные бюджетные учреждения