name: Физико-химические свойства и электронная структура поверхности трехмерных топологических изоляторов на основе халькогенидов и халькогалогенидов висмута и сурьмы
keyword_list: расщепление Рашбы дисперсия зон стабильность поверхности поверхность p-n переход трехмерный топологический изолятор
abstract: Работа посвящена изучению свойств поверхности и объема трехмерных топологических изоляторов на основе селенидов и теллуридов висмута и сурьмы и поиску путей получения собственных кристаллов этих соединений. Целью работы являлось изучение возможности управления уровнем Ферми в объеме и на поверхности твердых растворов BixSb2-xTeySe3-y путем изменения их стехиометрического состава, а также возможности получения топологических изоляторов на основе полупроводника с гигантским расщеплением Рашбы BiTeI. Было показано, что бездефектная поверхность Bi2Se3 инертна к воздействию воздуха, O2 и NO2, но адсорбция кислорода возможна при наличии вакансий Se на поверхности Bi2Se3. Получены монокристаллы трехмерных топологических изоляторов Bi1.9Te3.1 и Bi1.34Sb0.66Te3 со встроенным латеральным p-n переходом. Изучено распределение термоэлектрических, гальваномагнитных свойств и электронная структура поверхности (0001) вдоль направления роста полученных кристаллов. Обнаружено, что в таких кристаллах происходит компенсация примесей в области вблизи p-n перехода. Найдено, что в кристаллах Bi2Te3 вблизи p-n перехода формируется низкодефектная область электронного типа проводимости с высоким (~70000 см2В-1с-1 при 4.2 К) значением подвижности электронов, обусловленным эффектом экранирования заряженной примеси свободными носителями. Изучено влияние прогрева в вакууме на химический состав и электронную структуру поверхности скола (0001) соединения с гигантским расщеплением Рашбы BiTeI. Установлено, что прогрев BiTeI в вакууме при температурах 200-230°С приводит к изменению стехиометрического состава поверхностного слоя и образованию квинтислоев соединения Bi2Te2I, являющегося трехмерным топологическим изолятором, с формированием гетерограницы рашбовский полупроводник – трехмерный топологический изолятор.
chairman_dissertation_council.name: Александр
chairman_dissertation_council.surname: Асеев
chairman_dissertation_council.patronymic: Леонидович
chairman_dissertation_council.position: заведующий отделом
chairman_dissertation_council.degree: Доктор физико-математических наук
chairman_dissertation_council.rank: Академик
chairman_dissertation_council.wos_research_id: -
chairman_dissertation_council.scopus_author_id: -
chairman_dissertation_council.territory: РОССИЯ
organization_supervisor.name: Александр
organization_supervisor.surname: Латышев
organization_supervisor.patronymic: Васильевич
organization_supervisor.position: директор
organization_supervisor.territory: РОССИЯ
rubrics.code: 29.19.22
rubrics.name: Физика наноструктур. Низкоразмерные структуры. Мезоскопические структуры
oecds.code: 01.03.UK
oecds.name: PHYSICS, CONDENSED MATTER
speciality_codes.name: Физика полупроводников
speciality_codes.code: 1.3.11.
supervisors.fio: Терещенко О.Е.
supervisors.scientific_degree: Доктор физико-математических наук
supervisors.speciality_code: Физика полупроводников
supervisors.responsible_type: Научный руководитель
opponents.fio: Грузнев Д.В.
opponents.scientific_degree: Доктор физико-математических наук
opponents.speciality_code: Физика конденсированного состояния
opponents.responsible_type: Оппонент
opponents.fio: Кунцевич А.Ю.
opponents.scientific_degree: Доктор физико-математических наук
opponents.speciality_code: Физика конденсированного состояния
opponents.responsible_type: Оппонент
protection_organization.short_name: ИФП СО РАН
protection_organization.name: ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ НАУКИ ИНСТИТУТ ФИЗИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ИМ. А.В. РЖАНОВА СИБИРСКОГО ОТДЕЛЕНИЯ РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК
protection_organization.ogrn: 1025403651283
protection_organization.supervisor_name: АЛЕКСАНДР
protection_organization.supervisor_surname: ЛАТЫШЕВ
protection_organization.supervisor_patronymic: ВАСИЛЬЕВИЧ
protection_organization.organization_type: Организация
protection_organization.okogu: Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
protection_organization.okopf: Федеральные государственные бюджетные учреждения
author_organization.short_name: ИФП СО РАН
author_organization.name: ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ НАУКИ ИНСТИТУТ ФИЗИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ИМ. А.В. РЖАНОВА СИБИРСКОГО ОТДЕЛЕНИЯ РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК
author_organization.ogrn: 1025403651283
author_organization.supervisor_name: АЛЕКСАНДР
author_organization.supervisor_surname: ЛАТЫШЕВ
author_organization.supervisor_patronymic: ВАСИЛЬЕВИЧ
author_organization.organization_type: Организация
author_organization.okogu: Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
author_organization.okopf: Федеральные государственные бюджетные учреждения