name: Влияние встроенных электрических полей на перенос носителей заряда в излучающих структурах InGaN/GaN
keyword_list: СВЕТОДИОД, КВАНТОВЫЕ ЯМЫ, INGAN/GAN, ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ, СВЕРХРЕШЕТКИ, КВАНТОВАЯ ЭФФЕКТИВНОСТЬ, ТРАНСПОРТ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА, ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНИЯ, ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ, ВОЛЬТ-АМПЕРНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ, КРИОГЕННЫЕ ТЕМПЕРАТУРЫ, ПЬЕЗОЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ ПОЛЯРИЗАЦИЯ, СПОНТАННАЯ ПОЛЯРИЗАЦИЯ
abstract: Цель работы - выявление особенностей влияния электрических полей на механизмы переноса носителей заряда и вид зависимостей квантового выхода от мощности в широком диапазоне температур для гетероструктур на основе множественных квантовых ям и сверхрешеток InGaN/GaN. Впервые экспериментально обнаружены участки отрицательного дифференциального сопротивления в структурах с множественными квантовыми ямами InGaN/GaN с толщиной барьеров GaN 6 нм, которые связаны с резонансными туннельными переходами между разрешенными уровнями энергии в соседних квантовых ямах. Процессы резонансного туннелирования объясняются наличием трех разрешенных уровней энергии в квантовой яме InGaN/GaN, что связано с наличием сильного встроенного электрического поля. В области криогенных температур и в области высоких напряжений транспорт носителей носит баллистический характер, при этом наблюдается снижение квантовой эффективности электролюминесценции и резкий рост плотности тока. При невысоких напряжениях (менее 4 В) и температурах менее 100 К сказывается инжекция дырок из примесных состояний Mg и последующее их туннелирование по структурным дефектам в область множественных квантовых ям. Дано объяснение роста квантовой эффективности светодиодных структур в режиме электролюминесценции в области низких температур, когда должно происходить «вымораживание» дырок: основано на привлечении механизма инжекции дырок из примесных акцепторных состояний в активную область. Область применения: технологии управления свойствами светодиодных структур на основе нитрида галлия для их оптимизации и развития.
chairman_dissertation_council.surname: Багров В.Г.
chairman_dissertation_council.position: Главный научный сотрудник
chairman_dissertation_council.degree: Доктор физико-математических наук
organization_supervisor.surname: Ворожцов А.Б.
organization_supervisor.position: Проректор по НИД
organization_supervisor.degree: Доктор физико-математических наук
rubrics.code: 29.19.22
rubrics.name: Физика наноструктур. Низкоразмерные структуры. Мезоскопические структуры
rubrics.code: 29.19.31
rubrics.name: Полупроводники
rubrics.code: 45.51.29
rubrics.name: Источники света
rubrics.code: 29.31.23
rubrics.name: Люминесценция
oecds.code: 01.03.SY
oecds.name: OPTICS
oecds.code: 01.03.UP
oecds.name: PHYSICS, PARTICLES & FIELDS
speciality_codes.name: Физика полупроводников
speciality_codes.code: 01.04.10
supervisors.fio: Прудаев И.А.
supervisors.scientific_degree: Кандидат физико-математических наук
supervisors.speciality_code: Физика полупроводников
supervisors.responsible_type: Научный руководитель
opponents.fio: Смирнов С.В.
opponents.scientific_degree: Доктор технических наук
opponents.speciality_code: Физика полупроводников
opponents.responsible_type: Оппонент
opponents.fio: Николаев В.И
opponents.scientific_degree: Кандидат физико-математических наук
opponents.speciality_code: Физика конденсированного состояния
opponents.responsible_type: Оппонент
protection_organization.short_name: Томский государственный университет, ТГУ
protection_organization.name: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Томский государственный университет"
protection_organization.ogrn: 1027000853978
protection_organization.organization_type: Организация
protection_organization.okogu: Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
protection_organization.okopf: Федеральные государственные автономные учреждения
author_organization.short_name: Томский государственный университет, ТГУ
author_organization.name: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Томский государственный университет"
author_organization.ogrn: 1027000853978
author_organization.organization_type: Организация
author_organization.okogu: Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
author_organization.okopf: Федеральные государственные автономные учреждения