name: Акриламидные производные полифторированных халконов для фотолитографического формирования электропроводящих микроструктур на анодированном алюминии
keyword_list: Токопроводящие микроструктуры на анодированном алюминии Прямая электрохимическая металлизация Рельефно-фазовые дифракционные решетки Внутримолекулярная циклизация Свободно-радикальная полимеризация Димеризация Акриламидопиперазинозамещенные полифторхалконы Маскирующие свойства фоторезистов Фоторезистные материалы
abstract: Методами УФ-, ИК-, КР-, ЯМР-спектроскопии и MALDI-TOF масс-спектрометрии установлены основные процессы, протекающие в ходе УФ-экспонирования АПФХ в пленках и растворах: [2π+2π] циклодимеризация, свободно-радикальная фотоолигомеризация, транс-цис-изомеризация, внутримолекулярная циклизация. Показано, что положение пиперазиноакриламидного заместителя принципиально влияет на образующиеся продукты фотолиза, характер межмолекулярных сшивок и, тем самым, на маскирующие свойства АПФХ. 
  Методом голографической записи пропускающих дифракционных решеток были исследованы микроструктуры в микронных слоях АПФХ.  Определена фоточувствительность слоев АПФХ, для ТАФХ определена модуляция коэффициента преломления. Показано, что высокий показатель преломления и его высокое значение модуляции позволяют считать ТАФХ перспективным фоторезистом для его применения в изготовлении тонких голографических элементов. В слоях АПФХ микронной толщины были записаны рельефные субмикронные дифракционные решётки и охарактеризованы их параметры (дифракционная эффективность и угловая селективность). Результаты аппроксимации кривой контура угловой селективности фазовой голограммы ТАФХ позволяют определить и верифицировать значения показателя преломления полимера, модуляции коэффициента преломления и толщины слоя, измеренными методом эллипсометрии. Анализ параметров записанных голограмм показал, что по эффективности формирования фотосшитых пленок АПФХ можно расположить в следующем порядке: ТАФХ >> ПФХАП-1 >> ПФХАП-2. Исследованы маскирующие свойства ТАФХ на стеклянной подложке в сравнении с коммерческими фоторезистами SU-8 и AZ4562 в условиях жидкостного химического и сухого плазменного травления. Показано, что фоторезистные слои на основе АПФХ обладают сопоставимыми или превосходящими коммерческие фоторезисты маскирующими свойствами. Впервые была разработана методика получения токопроводящих микроструктур на подложке анодированного алюминия методом прямого электрохимического осаждения. Показано, что сочетание методики подготовки поверхности алюминиевой подложки путем ее электрохимического полирования и селективного двухэтапного электрохимического меднения в переменном и постоянном токах позволяет получать токопроводящие дорожки с высокой степенью сплошности без проведения предварительного вакуумного напыления металла. В отличие от коммерческого фоторезиста SU-8 использование ТАФХ в данной технологии позволяет получать электропроводящие структуры размером 10 мкм на подложке АОА.
chairman_dissertation_council.name: Азиз
chairman_dissertation_council.surname: Музафаров
chairman_dissertation_council.patronymic: Мансурович
chairman_dissertation_council.position: Заведующий лабораторией
chairman_dissertation_council.degree: Доктор химических наук
chairman_dissertation_council.rank: Академик
chairman_dissertation_council.wos_research_id: G-1644-2011
chairman_dissertation_council.scopus_author_id: 7004472780
chairman_dissertation_council.orcid: 0000-0002-3050-3253
chairman_dissertation_council.territory: РОССИЯ
organization_supervisor.name: Александр
organization_supervisor.surname: Трифонов
organization_supervisor.patronymic: Анатольевич
organization_supervisor.position: Директор
organization_supervisor.territory: РОССИЯ
rubrics.code: 31.15.29
rubrics.name: Фотохимия. Лазерохимия
rubrics.code: 31.25.15
rubrics.name: Структура и свойства природных и синтетических высокомолекулярных соединений
oecds.code: 01.04.UY
oecds.name: POLYMER SCIENCE
oecds.code: 01.04.EI
oecds.name: CHEMISTRY, PHYSICAL
speciality_codes.name: Физическая химия
speciality_codes.code: 02.00.04
supervisors.fio: Шелковников В.В.
supervisors.scientific_degree: Доктор химических наук
supervisors.speciality_code: Физическая химия
supervisors.responsible_type: Научный руководитель
opponents.fio: Поляков М.С.
opponents.scientific_degree: Кандидат химических наук
opponents.speciality_code: Физическая химия
opponents.responsible_type: Оппонент
opponents.fio: Будыка М.Ф.
opponents.scientific_degree: Доктор химических наук
opponents.speciality_code: Физическая химия
opponents.responsible_type: Оппонент
protection_organization.short_name: ИНЭОС РАН
protection_organization.name: ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ НАУКИ ИНСТИТУТ ЭЛЕМЕНТООРГАНИЧЕСКИХ СОЕДИНЕНИЙ ИМ. А.Н.НЕСМЕЯНОВА РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК
protection_organization.ogrn: 1027739900264
protection_organization.supervisor_name: АЛЕКСАНДР
protection_organization.supervisor_surname: ТРИФОНОВ
protection_organization.supervisor_patronymic: АНАТОЛЬЕВИЧ
protection_organization.organization_type: Организация
protection_organization.okogu: Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
protection_organization.okopf: Федеральные государственные бюджетные учреждения
author_organization.short_name: НИОХ СО РАН
author_organization.name: ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ НАУКИ НОВОСИБИРСКИЙ ИНСТИТУТ ОРГАНИЧЕСКОЙ ХИМИИ ИМ. Н.Н. ВОРОЖЦОВА СИБИРСКОГО ОТДЕЛЕНИЯ РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК
author_organization.ogrn: 1025403651921
author_organization.supervisor_name: ЕЛЕНА
author_organization.supervisor_surname: БАГРЯНСКАЯ
author_organization.supervisor_patronymic: ГРИГОРЬЕВНА
author_organization.organization_type: Организация
author_organization.okogu: Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
author_organization.okopf: Федеральные государственные бюджетные учреждения