name: Плазменно-активированная молекулярно-пучковая эпитаксия гетероструктур (Al,Ga)N/c-Al2O3 для оптоэлектронных приборов среднего ультрафиолетового диапазона (λ<300 нм)
keyword_list: молекулярно-пучковая эпитаксия, полупроводники, нитридные соединения, ультрафиолетовая оптоэлектроника
abstract: Цель работы заключалась в развитии возможностей плазменно-активированной молекулярно-пучковой эпитаксии для создания высокоэффективных УФ (λ<300нм) оптоэлектронных приборов на основе соединений (Al,Ga)N. В ходе работы развит комплекс аппаратных и программных средств на основе метода дифракции отраженных быстрых электронов для количественного анализа а-постоянной решетки растущих соединений III-N. Разработана импульсная методика температурно-модулированной эпитаксии для роста атомарно-гладких бескапельных слоев AlGaN с шероховатостью <1нм. Исследованы методы фильтрации прорастающих дислокаций, что привело к снижению их плотностей в буферных слоях AlN/с-Al2O3 до 3·109см-2. Для этого на начальных стадиях роста был развит метод эпитаксии с повышенной миграцией адатомов, позволяющий увеличить латеральные размеры зародышевых зерен AlN. Во время роста буферных слоев AlN фильтрация прорастающих дислокаций осуществлялась за счет введения множественных (до 6) сверхтонких (3-4 нм) трехмерных слоев GaN. Разработка метода поляризационного p-легирования, а также метода субмонослойной дискретной эпитаксии привели к созданию опытных образцов УФ фотоприемных и светоизлучающих приборов. Продемонстрированы солнечно-слепой фотокатод с чувствительностью 27мА/Вт на λ=226нм, источник спонтанного излучения мощностью 150мВт на λ=235нм с импульсной электронной накачкой, стимулированное излучение из гетероструктур на длинах волн 258-290 с пороговой внешней оптической накачкой от 480 до 150кВт/см2 соответственно.
chairman_dissertation_council.surname: Сурис Р. А.
chairman_dissertation_council.position: главный научный сотрудник
chairman_dissertation_council.degree: Доктор физико-математических наук
organization_supervisor.surname: Иванов С. В.
organization_supervisor.position: Директор
organization_supervisor.degree: Доктор физико-математических наук
rubrics.code: 29.19.22
rubrics.name: Физика наноструктур. Низкоразмерные структуры. Мезоскопические структуры
rubrics.code: 29.19.11
rubrics.name: Дефекты кристаллической структуры
rubrics.code: 29.19.31
rubrics.name: Полупроводники
oecds.code: 01.03.UB
oecds.name: PHYSICS, APPLIED
speciality_codes.name: Физика полупроводников
speciality_codes.code: 01.04.10
supervisors.fio: Жмерик  В.Н.
supervisors.scientific_degree: Доктор физико-математических наук
supervisors.speciality_code: Физика полупроводников
supervisors.responsible_type: Научный руководитель
opponents.fio: Сутурин С.М.
opponents.scientific_degree: Кандидат физико-математических наук
opponents.speciality_code: Физика конденсированного состояния
opponents.responsible_type: Оппонент
opponents.fio: Мармалюк А.А.
opponents.scientific_degree: Доктор технических наук
opponents.speciality_code: Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники
opponents.responsible_type: Оппонент
protection_organization.short_name: ФТИ им. А.Ф. Иоффе
protection_organization.name: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
protection_organization.ogrn: 1037804006998
protection_organization.supervisor_name: СЕРГЕЙ
protection_organization.supervisor_surname: ИВАНОВ
protection_organization.supervisor_patronymic: ВИКТОРОВИЧ
protection_organization.organization_type: Организация
protection_organization.okogu: Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
protection_organization.okopf: Федеральные государственные бюджетные учреждения
author_organization.short_name: ФТИ им. А.Ф. Иоффе
author_organization.name: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
author_organization.ogrn: 1037804006998
author_organization.supervisor_name: СЕРГЕЙ
author_organization.supervisor_surname: ИВАНОВ
author_organization.supervisor_patronymic: ВИКТОРОВИЧ
author_organization.organization_type: Организация
author_organization.okogu: Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
author_organization.okopf: Федеральные государственные бюджетные учреждения