name: СВЧ транзистор миллиметрового диапазона на основе (InAlGa)N/AlN/GaN гетероструктуры с легированными буферными слоями
keyword_list: СВЧ HEMT, ТРАНЗИСТОР С ВЫСОКОЙ ПОДВИЖНОСТЬЮ ЭЛЕК-ТРОНОВ, ALGAN/GAN, INALN/GAN, (INALGA)N/ALN/GAN, ЛЕГИРОВАНИЕ GAN
abstract: Объект исследования: СВЧ транзисторы на основе (InAlGa)N/AlN/GaN гетероструктуры с легированными буферными слоями. Методы исследования: атомная силовая микроскопия (АСМ), растровая электронная микроскопия, рентгеновская дифракция высокого разрешения, рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия, вторичная ионная масс-спектроскопия, релаксационная спектроскопия глубоких уровней, измерения эффекта Холла, измерения методом Ван дер Пау и Кельвина, импульсные измерения вольт-амперных характеристик, зондовые СВЧ измерения, стимулированное плазмой химическое вакуумное осаждение из газовой фазы, атомно-слоевое осаждение, электрофизическое моделирование. Новизна: Выявлено влияние толщины нелегированных слоев в конструкции буферного слоя транзисторной гетероструктуры, включающей легированные железом и углеродом слои GaN, а также слои AlGaN переменного состава, на напряжение пробоя мощных СВЧ транзисторов. Показано, что приближение легированного углеродом буферного слоя GaN к двумерному электронному газу в канале AlGaN/AlN/GaN транзистора на расстояние 0,2 и менее микрон приводит созданию под каналом транзистора содержащего глубокие центры слоя, захват электронов в котором приводит к увеличению коллапса тока до 45-70% вне зависимости от толщины легированного слоя и наличия под кана-лом барьерного слоя AlGaN. Обнаружено, что применение in situ пассивации нитридом кремния толщиной 5 нм позволяет снизить на порядок ток утечки затвор-сток в транзисторе на основе In0,14Al0,86N/AlN/GaN гетероструктур и сформировать устойчивое к воздействию температуры и влажности защитное покрытие для рабочей области транзистора. Исследовано влияние влажности и температуры на основные диэлектрические покрытия СВЧ транзисторов. Степень внедрения: получен акт внедрения в АО «НПФ «Микран», результаты диссертации использованы при выполнении ПНИЭР «Исследование и разработка технологии изготовления сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем на основе гетероструктур InAlN/GaN для изделий космического применения». Соглашение №14.578.21.0240 от 26.09.2017 г.
chairman_dissertation_council.surname: Шандаров С.М.
chairman_dissertation_council.position: профессор
chairman_dissertation_council.degree: Доктор физико-математических наук
organization_supervisor.surname: Лощилов А.Г.
organization_supervisor.position: проректор по НРиИ
organization_supervisor.degree: Кандидат технических наук
rubrics.code: 47.45.99
rubrics.name: Прочие элементы СВЧ-техники
oecds.code: 02.02.IQ
oecds.name: ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC
speciality_codes.name: Физическая электроника
speciality_codes.code: 01.04.04
supervisors.fio: Сахаров Ю.В
supervisors.scientific_degree: Доктор технических наук
supervisors.speciality_code: Физическая электроника
supervisors.responsible_type: Научный руководитель
opponents.fio: Журавлёв К.С.
opponents.scientific_degree: Доктор физико-математических наук
opponents.speciality_code: Физика полупроводников
opponents.responsible_type: Оппонент
opponents.fio: Егоркин В.И.
opponents.scientific_degree: Кандидат технических наук
opponents.speciality_code: Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах
opponents.responsible_type: Оппонент
protection_organization.short_name: ТУСУР
protection_organization.name: Федеральное государственное  бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники"
protection_organization.ogrn: 1027000867068
protection_organization.organization_type: Организация
protection_organization.okogu: Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
protection_organization.okopf: Федеральные государственные бюджетные учреждения
author_organization.short_name: ТУСУР
author_organization.name: Федеральное государственное  бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники"
author_organization.ogrn: 1027000867068
author_organization.organization_type: Организация
author_organization.okogu: Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
author_organization.okopf: Федеральные государственные бюджетные учреждения