name: Формирование, структура, оптические и фотоэлектрические свойства текстурированных пленок BaSi₂ на Si(111) и гетероструктур на их основе
keyword_list: ДИСИЛИЦИД БАРИЯ, ТОНКИЕ ПЛЕНКИ, ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ, НАНОРАЗМЕРНЫЙ МАТЕРИАЛ, ГЕТЕРОСТРУКТУРА
abstract: В настоящее время активно ведутся исследования в области электроники, основанной на наноразмерных структурах. Это связано с наличием размерных эффектов, которых нет в объемных материалах. Использование размерных эффектов перспективно с точки зрения уменьшения размеров приборов. Однако существует ряд сложностей, первая из которых связана с трудоемкостью формирования таких структур, вторая - со сложностью управления их свойств. Современные исследования в физике полупроводников проводятся с целью разработки эффективных методов формирования наноразмерных структур с возможностью управления их свойствами. Одной из основных задач физики полупроводников является повышение эффективности солнечных батарей. Увеличение КПД достигается двумя путями: создание концентраторов солнечной энергии и поиск новых материалов и исследование их фотовольтаических свойств. Одним из таких материалов является тонкая пленка BaSi₂ на Si подложке, КПД которой может достигать 10%. Проведены исследования процессов формирования тонких пленок дислицида бария на кремнии в зависимости от условий формирования. Показано, что в пленках дисилицида бария, сформированных методом твердофазной эпитаксии с использованием затравочного слоя, элементарная ячейка дисилицида бария находится под деформацией сжатия до 5%. Обнаружены преимущественные ориентации сформированных кристаллитов BaSi₂ на Si(111): (211) и (301), обладающих характерными размерами 200 - 300 нм. Зарегистрированы пики отражения при энергиях фотонов 1,55, 2,26, 2,66, 3,50 и 4,78 эВ, связанные с межзонными переходами в текстурированных пленках BaSi₂, и обнаружены длинноволновые сдвиги пиков в спектрах КРС и ИК спектрах на 2 - 4 см⁻¹. Изготовлены изотипные меза-диоды на основе тонких пленок дисилицида бария на кремнии с фотооткликом от 1,0 до 2,2 эВ при Т=300 К и расширением фотоотклика до 0,7 эВ при 80 К.
chairman_dissertation_council.surname: Кульчин Ю. Н.
chairman_dissertation_council.position: Научный руководитель института
chairman_dissertation_council.degree: Доктор физико-математических наук
organization_supervisor.surname: Ромашко Р. В.
organization_supervisor.position: Директор института
organization_supervisor.degree: Доктор физико-математических наук
rubrics.code: 29.19.16
rubrics.name: Физика тонких пленок. Поверхности и границы раздела
rubrics.code: 29.19.31
rubrics.name: Полупроводники
oecds.code: 01.03.UB
oecds.name: PHYSICS, APPLIED
speciality_codes.name: Физика полупроводников
speciality_codes.code: 01.04.10
supervisors.fio: Фомин Д.В.
supervisors.scientific_degree: Кандидат физико-математических наук
supervisors.speciality_code: Физика полупроводников
supervisors.responsible_type: Научный руководитель
opponents.fio: Шамирзаев Т.С.
opponents.scientific_degree: Доктор физико-математических наук
opponents.speciality_code: Физика полупроводников
opponents.responsible_type: Оппонент
opponents.fio: Балашев В.В.
opponents.scientific_degree: Кандидат физико-математических наук
opponents.speciality_code: Физика конденсированного состояния
opponents.responsible_type: Оппонент
protection_organization.short_name: ИАПУ ДВО РАН
protection_organization.name: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт автоматики и процессов управления Дальневосточного отделения Российской академии наук
protection_organization.ogrn: 1022502127878
protection_organization.organization_type: Организация
protection_organization.okogu: Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
protection_organization.okopf: Федеральные государственные бюджетные учреждения
author_organization.short_name: ФГБОУ ВО "АМУРСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ", ФГБОУ ВО "АМГУ", АМУРСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ, АМГУ
author_organization.name: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Амурский государственный  университет"
author_organization.ogrn: 1022800526154
author_organization.organization_type: Организация
author_organization.okogu: Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
author_organization.okopf: Учреждения