name: Лазерные гетероструктуры на основе GaAs и InP с улучшенной вольт-амперной характеристикой
keyword_list: легирование волноводные слои вольт-амперная характеристика лазер гетероструктура полупроводник
abstract: Показано, что использование сверхузкого волновода (d=0,05-0,1 мкм) в полупроводниковых лазерах на основе гетероструктур AlGaInAs/InP способствует сохранению наклона ВтАХ при увеличении тока накачки и позволяет реализовать выходную мощность до 5 Вт в непрерывном режиме генерации на длинах волн 1450-1500 нм. Установлено, что уменьшение р-части волновода в конструкциях лазерных гетероструктур AlGaInAs/InP с сильно асимметричным волноводом позволяет обеспечить низкие оптические потери и высокую дифференциальную квантовую эффективность, что дает возможность достигнуть в непрерывном режиме работы 5 Вт выходной мощности на длинах волн 1450-1500 нм. Продемонстрировано, что применение легированных волноводов позволяет снизить последовательное сопротивление полупроводниковых лазеров на основе гетероструктур InGaAs/AlGaAs/GaAs с расширенным асимметричным волноводом. Представлены результаты исследования снижения мольной доли AlAs в волноводных слоях AlGaAs лазерных гетероструктур InGaAs/AlGaAs/GaAs с расширенным асимметричным волноводом на характеристики насыщения ВтАХ.
chairman_dissertation_council.name: Алексей
chairman_dissertation_council.surname: Фомичев
chairman_dissertation_council.patronymic: Алексеевич
chairman_dissertation_council.position: заведующий лабораторией лазерных навигационных систем
chairman_dissertation_council.degree: Доктор физико-математических наук
chairman_dissertation_council.rank: Профессор
chairman_dissertation_council.wos_research_id: L-3633-2013
chairman_dissertation_council.scopus_author_id: 7006017495
chairman_dissertation_council.rinc_id: 21899
chairman_dissertation_council.territory: РОССИЯ
organization_supervisor.name: Виталий
organization_supervisor.surname: Баган
organization_supervisor.patronymic: Анатольевич
organization_supervisor.position: проректор по научной работе
organization_supervisor.territory: РОССИЯ
rubrics.code: 29.33.15
rubrics.name: Оптические квантовые генераторы и усилители (лазеры)
oecds.code: 01.03.UB
oecds.name: PHYSICS, APPLIED
speciality_codes.name: Квантовая электроника
speciality_codes.code: 05.27.03
supervisors.fio: Мармалюк А.А.
supervisors.scientific_degree: Доктор технических наук
supervisors.speciality_code: Квантовая электроника
supervisors.responsible_type: Научный руководитель
protection_organization.short_name: МФТИ
protection_organization.name: ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ АВТОНОМНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "МОСКОВСКИЙ ФИЗИКО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ (НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ)"
protection_organization.ogrn: 1027739386135
protection_organization.supervisor_name: ДМИТРИЙ
protection_organization.supervisor_surname: ЛИВАНОВ
protection_organization.supervisor_patronymic: ВИКТОРОВИЧ
protection_organization.organization_type: Организация
protection_organization.okogu: Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
protection_organization.okopf: Федеральные государственные автономные учреждения
author_organization.short_name: АО «НИИ «Полюс» им. М.Ф.Стельмаха
author_organization.name: Акционерное общество «Научно- исследовательский институт «ПОЛЮС» им. М.Ф.Стельмаха»
author_organization.ogrn: 1127746646510
author_organization.organization_type: Организация
author_organization.okogu: Хозяйственные общества, образованные из государственных предприятий, добровольных объединений государственных предприятий
author_organization.okopf: Непубличные акционерные общества