name: Создание и исследование гибких светодиодов на основе массивов фосфидных и нитридных полупроводниковых соединений нитевидных нанокристаллов, инкапсулированных в полимерные матрицы
keyword_list: Полупроводник Нитевидный нанокристалл (ННК) Светодиод Гибкий прибор Прозрачный контакт
abstract: Диссертация посвящена созданию и исследованию электрофизических и оптических свойств гибких и растяжимых светодиодных структур на основе полупроводниковых соединений нитевидных нанокристаллов А3В5 и прозрачных электродов
  Продемонстрирован способ инкапсуляции массивов полупроводниковых нитевидных нанокристаллов различной морфологии в силоксановые матрицы методом гравитационной накрутки позволяет создавать гибкие мембраны заданной толщины (в диапазоне от 3 до 8 мкм) и площадью до 75 см2. 
  Развит метод управления толщиной мембран с использованием метода сухого травления в кислородной плазме и/или в плазме смеси О2/CF4.  
  Апробированы материалы силоксановых матриц с различными оптическими и механическими свойствами. Установлено, что ПДМС-Ст и ССР 25 имеют вдвое меньшую адгезию к Si по сравнению с коммерческим ПДМС Sylgard 184. 
  На примере GaP ННК n- и р- типов проводимости исследованы электронные характеристики различных контактных материалов к мембранам А3В5 ННК/силоксан, формирующих как омические контакты, так и контакты с барьером Шоттки. Использование в качестве электрода проводящего полимера на основе ФСР обеспечивает проводимость 0,6 мА/см2 n-A3B5 ННК/силоксан, введение 2% по массе многостенных углеродных нанотрубок в ФСР увеличивает проводимость до 20 мА/см2  Использование в качестве контактного материала слоев одностенных углеродных нанотрубок с прозрачностью 80% и проводимостью 90 Ом/кв обеспечивает проводимость 1000 мА/см2 и 1600 мА/см2 к мембранам n- и р-A3B5 ННК/силоксан, соответственно. 
  Представлено численное моделирование, учитывающее энергетические, кинетические и рекомбинационные параметры позволили определить базовые параметры аксиальной гетероструктуры GaPAs/GaP излучающей в красном спектральном диапазоне. 
  Разработана и исследована гибкая светодиодная мембрана с контактами на основе слоев одностенных углеродных нанотрубок. Основная линия электролюминесценции находилась на 670 нм. Плотность токов такой структуры были оценены 50 А/см2. 
  Предрастяжение мембран InGaN/GaN НМК/силоксан на 20% перед нанесением контактов из слоев одностенных углеродных нанотрубок обеспечивает стабильный электрический контакт к мембране при последующих растяжениях на 10% со снижением интенсивности электролюминесценции менее чем на 15% после 20 циклов растяжения/релаксации
chairman_dissertation_council.name: Виктор
chairman_dissertation_council.surname: Лучинин
chairman_dissertation_council.patronymic: Викторович
chairman_dissertation_council.position: Заведующий кафедрой
chairman_dissertation_council.degree: Доктор технических наук
chairman_dissertation_council.rank: Профессор
chairman_dissertation_council.wos_research_id: 0
chairman_dissertation_council.scopus_author_id: 6701446103
chairman_dissertation_council.rinc_id: 37314
chairman_dissertation_council.territory: РОССИЯ
organization_supervisor.name: Виктор
organization_supervisor.surname: Шелудько
organization_supervisor.patronymic: Николаевич
organization_supervisor.position: ректор
organization_supervisor.territory: РОССИЯ
rubrics.code: 29.19.22
rubrics.name: Физика наноструктур. Низкоразмерные структуры. Мезоскопические структуры
rubrics.code: 29.19.31
rubrics.name: Полупроводники
oecds.code: 01.03.UB
oecds.name: PHYSICS, APPLIED
speciality_codes.name: Физика полупроводников
speciality_codes.code: 01.04.10
supervisors.fio: Неплох В.В.
supervisors.scientific_degree: Кандидат физико-математических наук
supervisors.speciality_code: Физика полупроводников
supervisors.responsible_type: Научный руководитель
opponents.fio: Голубок А.О.
opponents.scientific_degree: Доктор физико-математических наук
opponents.speciality_code: Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах
opponents.responsible_type: Оппонент
opponents.fio: Брунков П.Н.
opponents.scientific_degree: Доктор физико-математических наук
opponents.speciality_code: Физика полупроводников
opponents.responsible_type: Оппонент
protection_organization.short_name: СПбГЭТУ "ЛЭТИ"
protection_organization.name: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет “ЛЭТИ” им. В.И. Ульянова (Ленина)"
protection_organization.ogrn: 1027806875381
protection_organization.organization_type: Организация
protection_organization.okogu: Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
protection_organization.okopf: Федеральные государственные автономные учреждения
author_organization.short_name: СПБАУ РАН ИМ. Ж.И. АЛФЕРОВА, АКАДЕМИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ ИМ. Ж.И. АЛФЕРОВА, АЛФЕРОВСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ
author_organization.name: ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ "САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКИЙ НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ АКАДЕМИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ ИМЕНИ Ж.И. АЛФЕРОВА РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК"
author_organization.ogrn: 1027802511879
author_organization.organization_type: Организация
author_organization.okogu: Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
author_organization.okopf: Федеральные государственные бюджетные учреждения