name: Получение плёнок метастабильного GeO и их модификация зондом атомно-силового микроскопа и лазерным облучением
keyword_list: Монооксид германия, нанокластеры Ge, модель неупорядоченной случайной сетки, локальное анодное окисление, нанолитография, импульсный лазерный отжиг.
abstract: Во многом благодаря метастабильности, слои GeO обладают низкими порогами процессов модификации при внешних активирующих локальных воздействиях (термическое, электрическое, радиационное). При разложении плёнки монооксида германия образуют композитную систему, состоящую из нанокластеров Ge в матрице GeO2. Это создаёт предпосылки для формирования наноструктур на основе слоёв GeO с помощью зондовой и лазерной нанолитографии. 
  Целью настоящей работы было установление условий формирования плёнок метастабильного GeO и закономерностей изменения их оптических свойств вследствие структурных модификаций, а также разработка физических основ процессов для создания наноструктур на основе плёнок GeO с использованием зондовых и лазерных локальных воздействий. 
  Разработан метод синтеза тонких плёнок GeO стехиометрического состава. Определены показатели преломления и поглощения плёнки GeO в диапазоне длин волн от 300 до 600 нм и, используя метод Тауца, рассчитано значение края поглощения монооксида германия − 2.4 эВ. Установлено, что атомная структура твёрдого монооксида германия описывается моделью неупорядоченной случайной сетки. При температуре 260 oC и выше метастабильная структура плёнок GeO трансформируется в более стабильную, которую можно описать моделью смеси фаз. Найдено, что при приложении положительного электрического смещения на зонд атомно-силового микроскопа (АСМ) происходит локальная электростимулированная декомпозиция плёнки GeO, тогда как при отрицательном смещении возникает её локальное анодное окисление. Определены параметры и модель, описывающие кинетику локального анодного окисления тонких плёнок GeO на проводящей подложке кремния при различной влажности воздуха. Установлено, что в гетерослоях GeO2<Ge-НК>, защищённых тонкими слоями SiNxOy, воздействие импульсов наносекундного лазера (λ=248 нм) приводит к росту размеров Ge нанокристаллов и уплотнению гетереослоёв. Это обусловлено тем, что УФ-излучение поглощается во всём гетерослое. Образование нанопенистой структуры при воздействии фемтосекундных импульсов излучения (λ=800 нм) на гетерослои GeO2<Ge-НК> вызвано тем, что ИК-излучение селективно поглощается наночастицами германия.
chairman_dissertation_council.name: Александр
chairman_dissertation_council.surname: Асеев
chairman_dissertation_council.patronymic: Леонидович
chairman_dissertation_council.position: заведующий отделом
chairman_dissertation_council.degree: Доктор физико-математических наук
chairman_dissertation_council.rank: Академик
chairman_dissertation_council.wos_research_id: -
chairman_dissertation_council.scopus_author_id: -
chairman_dissertation_council.territory: РОССИЯ
organization_supervisor.name: Александр
organization_supervisor.surname: Латышев
organization_supervisor.patronymic: Васильевич
organization_supervisor.position: директор
organization_supervisor.territory: РОССИЯ
rubrics.code: 29.19.22
rubrics.name: Физика наноструктур. Низкоразмерные структуры. Мезоскопические структуры
oecds.code: 01.03.UK
oecds.name: PHYSICS, CONDENSED MATTER
speciality_codes.name: Физика полупроводников
speciality_codes.code: 01.04.10
supervisors.fio: Володин В.А.
supervisors.scientific_degree: Доктор физико-математических наук
supervisors.speciality_code: Физика полупроводников
supervisors.responsible_type: Научный руководитель
opponents.fio: Редькин А.Н.
opponents.scientific_degree: Доктор физико-математических наук
opponents.speciality_code: Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах
opponents.responsible_type: Оппонент
opponents.fio: Старинский С.В.
opponents.scientific_degree: Кандидат физико-математических наук
opponents.speciality_code: Теплофизика и теоретическая теплотехника
opponents.responsible_type: Оппонент
protection_organization.short_name: ИФП СО РАН
protection_organization.name: ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ НАУКИ ИНСТИТУТ ФИЗИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ИМ. А.В. РЖАНОВА СИБИРСКОГО ОТДЕЛЕНИЯ РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК
protection_organization.ogrn: 1025403651283
protection_organization.supervisor_name: АЛЕКСАНДР
protection_organization.supervisor_surname: ЛАТЫШЕВ
protection_organization.supervisor_patronymic: ВАСИЛЬЕВИЧ
protection_organization.organization_type: Организация
protection_organization.okogu: Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
protection_organization.okopf: Федеральные государственные бюджетные учреждения
author_organization.short_name: ИФП СО РАН
author_organization.name: ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ НАУКИ ИНСТИТУТ ФИЗИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ИМ. А.В. РЖАНОВА СИБИРСКОГО ОТДЕЛЕНИЯ РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК
author_organization.ogrn: 1025403651283
author_organization.supervisor_name: АЛЕКСАНДР
author_organization.supervisor_surname: ЛАТЫШЕВ
author_organization.supervisor_patronymic: ВАСИЛЬЕВИЧ
author_organization.organization_type: Организация
author_organization.okogu: Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
author_organization.okopf: Федеральные государственные бюджетные учреждения