name: Исследование и разработка технологических процессов внутреннего монтажа бескорпусных микросхем на основе полиимидных микроструктур для производства высокоинтегрированных микросборок
keyword_list: микросборка, многокристальный модуль, система в корпусе, внутренний монтаж, бескорпусная микросхема, полиимидная микроструктура
abstract: Целью диссертационной работы является разработка физико-технологических подходов внутреннего монтажа бескорпусных микросхем для создания высокоинтегрированных микросборок, обеспечивающих за счёт применения полиимидных микроструктур, групповых методов обработки и отсутствия процессов пайки и сварки уменьшение массогабаритных параметров, более высокое быстродействие и надежность. Предложен оригинальный технологический метод фиксации кремниевых кристаллов активной стороной вниз на временный носитель из магнитного железоникелькобальтового сплава с использованием раствора полиамидокислоты (ПАК) в N-метил-2-пирролидоне; выявлена зависимость адгезионной прочности кремниевых кристаллов от времени жизни растворов ПАК, позволяющая подобрать параметры технологического процесса сборки на прецизионном оборудовании по критерию надежность/количество установленных кристаллов за единицу времени; определена зависимость скорости реактивного ионного травления (РИТ) полиимидной микроструктуры, сформированной на основе двух ранее не используемых вместе ПАК АД-9103 ИС и ПИ-ЛК Радуга 6, от расхода гексафторида серы и молекулярного кислорода; разработан новый технологический процесс внутреннего монтажа бескорпусных микросхем в подложку микросборок посредством групповых методов с применением АД-9103 ИС и ПИ-ЛК Радуга 6 и временного носителя из магнитного железоникелькобальтового сплава. Разработаны новые конструктивно-технологические способы изготовления микросборок (МСБ) и многокристальных модулей (МКМ) по технологии внутреннего монтажа кристаллов без применения процессов пайки и сварки; комплекты конструкторской и технологической документации на МСБ, МКМ; рекомендации по проектированию МКМ и МСБ с использованием технологии внутреннего монтажа в САПР Xpedition Enterprise Mentor Graphics; технологические режимы установки кристаллов на временный носитель из сплава 29НК с помощью двух типов ПАК, позволяющие достичь бездефектной поверхности и адгезионной прочности не менее 2,9х106 Н/м2; технологические режимы глубокого РИТ полиимидных структур, обеспечивающие скорость травления 0,8 мкм/мин, равномерность травления не менее 92% и анизотропию 0,95.
chairman_dissertation_council.surname: Гаврилов С. А.
chairman_dissertation_council.position: Проректор
chairman_dissertation_council.degree: Доктор технических наук
organization_supervisor.surname: Беспалов В. А.
organization_supervisor.position: Ректор
organization_supervisor.degree: Доктор технических наук
rubrics.code: 47.13.13
rubrics.name: Технология и оборудование для производства радиодеталей и компонентов
rubrics.code: 47.13.11
rubrics.name: Технология и оборудование для производства полупроводниковых приборов и приборов микроэлектроники
rubrics.code: 47.14.07
rubrics.name: Проектирование и конструирование полупроводниковых приборов и приборов микроэлектроники
oecds.code: 02.10.NS
oecds.name: NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY
speciality_codes.name: Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники
speciality_codes.code: 05.27.06
supervisors.fio: Тимошенков С. П.
supervisors.scientific_degree: Доктор технических наук
supervisors.speciality_code: Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники
supervisors.responsible_type: Научный руководитель
opponents.fio: Гамкрелидзе С.А.
opponents.scientific_degree: Доктор технических наук
opponents.speciality_code: Элементы и устройства вычислительной техники и систем управления
opponents.responsible_type: Оппонент
opponents.fio: Лысенко И.Е.
opponents.scientific_degree: Доктор технических наук
opponents.speciality_code: Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах
opponents.responsible_type: Оппонент
protection_organization.short_name: МИЭТ;  Национальный исследовательский университет "МИЭТ"; НИУ МИЭТ
protection_organization.name: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники"
protection_organization.ogrn: 1027739615584
protection_organization.organization_type: Организация
protection_organization.okogu: Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
protection_organization.okopf: Федеральные государственные бюджетные учреждения
author_organization.short_name: МИЭТ;  Национальный исследовательский университет "МИЭТ"; НИУ МИЭТ
author_organization.name: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники"
author_organization.ogrn: 1027739615584
author_organization.organization_type: Организация
author_organization.okogu: Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
author_organization.okopf: Федеральные государственные бюджетные учреждения