name: Резистивные переключения в сегнетоэлектрических мемристорах на основе оксида гафния-циркония
keyword_list: мемристор сегнетоэлектрический резистивное переключение оксид гафния-циркония граница сегнетоэлектрик-полупроводник
abstract: Рассчитана концентрация кислородных вакансий (7∙1020 см-3) и дефектов (3∙1020 см-3) в структуре W/Hf0.5Zr0.5O2/TiN. Разработан сегнетоэлектрический мемристор на основе сегнетоэлектрического оксида гафния-циркония, демонстрирующий как сегнетоэлектрический, так и несегнетоэлектрический нефиламентарный механизм изменения сопротивления в структуре, показано, что несегнетоэлектрический механизм вызван изменением высоты потенциального барьера на границе сегнетоэлектрик-полупроводник за счет дрейфа кислородных вакансий. Разработаны критерии верификации сегнетоэлектрической природы резистивных переключений в устройствах памяти на основе тонких сегнетоэлектрических пленок оксида гафния и оксида гафния-циркония.Впервые продемонстрирован сегнетоэлектрический мемристор второго рода, в котором внутренняя динамика проводимости обусловлена наличием деполяризации и конечной скоростью захвата/эмиссии электронов с дефектов на границе сегнетоэлектрик-полупроводник.
chairman_dissertation_council.name: Евгений
chairman_dissertation_council.surname: Шешин
chairman_dissertation_council.patronymic: Павлович
chairman_dissertation_council.position: зам.зав.кафедрой вакуумной электроники
chairman_dissertation_council.degree: Доктор физико-математических наук
chairman_dissertation_council.rank: Профессор
chairman_dissertation_council.wos_research_id: L-7775-2013
chairman_dissertation_council.scopus_author_id: 35617320000
chairman_dissertation_council.rinc_id: 21682
chairman_dissertation_council.territory: РОССИЯ
organization_supervisor.name: Виталий
organization_supervisor.surname: Баган
organization_supervisor.patronymic: Анатольевич
organization_supervisor.position: проректор по научной работе
organization_supervisor.territory: РОССИЯ
rubrics.code: 29.19.35
rubrics.name: Сегнето- и антисегнетоэлектрики
oecds.code: 01.03.UB
oecds.name: PHYSICS, APPLIED
speciality_codes.name: Физическая электроника
speciality_codes.code: 01.04.04
supervisors.fio: Чуприк А.А.
supervisors.scientific_degree: Кандидат физико-математических наук
supervisors.speciality_code: Физическая электроника
supervisors.responsible_type: Научный руководитель
opponents.fio: -
opponents.scientific_degree: Доктор физико-математических наук
opponents.speciality_code: Физическая электроника
opponents.responsible_type: Оппонент
protection_organization.short_name: МФТИ
protection_organization.name: ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ АВТОНОМНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "МОСКОВСКИЙ ФИЗИКО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ (НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ)"
protection_organization.ogrn: 1027739386135
protection_organization.supervisor_name: НИКОЛАЙ
protection_organization.supervisor_surname: КУДРЯВЦЕВ
protection_organization.supervisor_patronymic: НИКОЛАЕВИЧ
protection_organization.organization_type: Организация
protection_organization.okogu: Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
protection_organization.okopf: Федеральные государственные автономные учреждения
author_organization.short_name: МФТИ
author_organization.name: ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ АВТОНОМНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "МОСКОВСКИЙ ФИЗИКО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ (НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ)"
author_organization.ogrn: 1027739386135
author_organization.supervisor_name: НИКОЛАЙ
author_organization.supervisor_surname: КУДРЯВЦЕВ
author_organization.supervisor_patronymic: НИКОЛАЕВИЧ
author_organization.organization_type: Организация
author_organization.okogu: Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
author_organization.okopf: Федеральные государственные автономные учреждения