name: Структура тонких пленок материалов фазовой памяти на основе Ge-Sb-Te по данным электронной микроскопии
keyword_list: Материалы Ge-Sb-Te Тонкие пленки Просвечивающая электронная микроскопия Растровая электронная микроскопия Подложка Si(111) Фазовая память
abstract: Диссертационная работа посвящена выявлению закономерностей атомарного строения и фазовых превращений в тонких пленках материалов фазовой памяти системы Ge-Sb-Te на основе исследования их морфологии поверхности, структуры и определения химического состава электронно-микроскопическими методами. Актуальность работы обусловлена широким применением материалов Ge-Sb-Te в микро-, нано- и оптоэлектронике, в частности, для создания энергонезависимых элементов памяти. В работе установлено, что для эпитаксиальных слоев Ge2Sb2Te5 и Ge3Sb2Te6, выращенных на подложке Si(111)-(√3x√3)R30º-Sb, характерна зернистая кристаллическая структура с разворотом большей части зерен вокруг направления Si[111] на углы в пределах 8°, причем в неразвернутых зернах релаксация напряжений, возникающих на границе раздела Si(111)/Ge-Sb-Te происходит с образованием дислокаций несоответствия с периодичностью около 2 нм. Показано, что атомарное строение дефектов на поверхности эпитаксиальных слоев Ge3Sb2Te6 в целом аналогично структуре слоев, однако в крупных дефектах часть блоков материала Ge3Sb2Te6 ориентирована под углом 70,5° к поверхности подложки Si(111), а их химический состав меняется от Ge3Sb2Te6 к GeSb2Te4 вдоль направления роста. Развит подход совмещения изображений растровой и просвечивающей электронной микроскопии, позволяющий сопоставлять данные о морфологии поверхности с информацией о структуре поверхностных образований или приповерхностной области пленок Ge-Sb-Te.
chairman_dissertation_council.name: Юрий
chairman_dissertation_council.surname: Чаплыгин
chairman_dissertation_council.patronymic: Александрович
chairman_dissertation_council.position: президент
chairman_dissertation_council.degree: Доктор технических наук
chairman_dissertation_council.rank: Академик
chairman_dissertation_council.wos_research_id: B-3188-2016
chairman_dissertation_council.scopus_author_id: 6603797878
chairman_dissertation_council.rinc_id: 116306
chairman_dissertation_council.orcid: 0000-0002-7505-5175
chairman_dissertation_council.territory: РОССИЯ
organization_supervisor.name: Владимир
organization_supervisor.surname: Беспалов
organization_supervisor.patronymic: Александрович
organization_supervisor.position: ректор
organization_supervisor.territory: РОССИЯ
rubrics.code: 29.19.19
rubrics.name: Методы исследования кристаллической структуры и динамики решетки
rubrics.code: 47.09.29
rubrics.name: Полупроводниковые материалы
rubrics.code: 29.19.16
rubrics.name: Физика тонких пленок. Поверхности и границы раздела
rubrics.code: 29.19.15
rubrics.name: Фазовые равновесия и фазовые переходы
oecds.code: 02.10.NS
oecds.name: NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY
oecds.code: 02.02.IQ
oecds.name: ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC
oecds.code: 01.03.UK
oecds.name: PHYSICS, CONDENSED MATTER
speciality_codes.name: Физика полупроводников
speciality_codes.code: 01.04.10
supervisors.fio: Боргардт Н.И.
supervisors.scientific_degree: Доктор физико-математических наук
supervisors.speciality_code: Физика полупроводников
supervisors.responsible_type: Научный руководитель
opponents.fio: Авилов А.С.
opponents.scientific_degree: Доктор физико-математических наук
opponents.speciality_code: Кристаллография, физика кристаллов
opponents.responsible_type: Оппонент
opponents.fio: Вишняков Н.В.
opponents.scientific_degree: Кандидат технических наук
opponents.speciality_code: Физика полупроводников
opponents.responsible_type: Оппонент
protection_organization.short_name: НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ "МИЭТ"; НИУ МИЭТ;МИЭТ
protection_organization.name: ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ АВТОНОМНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ "МОСКОВСКИЙ ИНСТИТУТ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ"
protection_organization.ogrn: 1027739615584
protection_organization.supervisor_name: ВЛАДИМИР
protection_organization.supervisor_surname: БЕСПАЛОВ
protection_organization.supervisor_patronymic: АЛЕКСАНДРОВИЧ
protection_organization.organization_type: Организация
protection_organization.okogu: Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
protection_organization.okopf: Федеральные государственные автономные учреждения
author_organization.short_name: НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ "МИЭТ"; НИУ МИЭТ;МИЭТ
author_organization.name: ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ АВТОНОМНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ "МОСКОВСКИЙ ИНСТИТУТ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ"
author_organization.ogrn: 1027739615584
author_organization.supervisor_name: ВЛАДИМИР
author_organization.supervisor_surname: БЕСПАЛОВ
author_organization.supervisor_patronymic: АЛЕКСАНДРОВИЧ
author_organization.organization_type: Организация
author_organization.okogu: Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
author_organization.okopf: Федеральные государственные автономные учреждения