name: Особенности применения плазменных технологий для формирования наноразмерных элементов плазмоники и гетероструктурных СВЧ транзисторов
keyword_list: Плазмоника, СВЧ транзистор, плазменное травление, нанотехнологии, наноэлектроника
abstract: Объект исследования: наноисточники оптического излучения и СВЧ транзисторы на основе (InAlGa)N/AlN/GaN. Цель работы: Целью работы является исследование процессов формирования наиболее важных элементов конструкции современных наноэлектронных устройств – спазеров и наногетероструктурных СВЧ транзисторов с помощью методов плазменной обработки поверхности. Аппаратура: установка газофазной эпитаксии из металлоорганических соеди-нений (MOCVD) Dragon 125, установка электронно-лучевой литографии Raith 150TWO, установка атомно-слоевого осаждения Picosun, установка стимулированного плазмой химического вакуумного осаждения из газовой фазы Oxford PlasmaPro 100, установка электронно-лучевого напыления Angstrom Nexdep, двух лучевой сканирующий электронный микроскоп Helios G4 Plasma FIB Uxe.  Новизна: Выявлены особенности плазменных процессов травления наноразмерных элементов, формируемых в тонких пленках Ag. Обнаружено влияние размеров кристаллитов в тонких пленках Ag на форму наноотверстий, получаемых при плазменном травлении. Показана возможность использования процессов реактивного ионного травления (РИТ) и реактивного ионного травления с источником индуктивно-связанной плазмы (ИСП РИТ) в SF6 для формирования затворных щелей в Si3N4 с углами наклона стенок 80÷90° (РИТ) и 75÷85° (ИСП РИТ). Выявлено влияние напряжения смещения и состава газовой смеси при плазменном травлении на слоевое сопротивление двумерного газа In0,14Al0,86N/AlN/GaN наногетеротранзисторов с тонким барьерным слоем. Степень внедрения: Получен акт внедрения АО НПФ «МИКРАН», результаты диссертационной работы использованы при выполнении ПНИЭР «Исследование и разработка технологии изготовления сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем на основе гетероструктур InAlN/GaN для изделий космического применения». Соглашение №14.578.21.0240 от 26.09.2017 г, УИР REMEFI 57817X240.
chairman_dissertation_council.surname: Шандаров С.М.
chairman_dissertation_council.position: профессор
chairman_dissertation_council.degree: Доктор физико-математических наук
organization_supervisor.surname: Лощилов А.Г.
organization_supervisor.position: проректор по НРиИ
organization_supervisor.degree: Кандидат технических наук
rubrics.code: 47.09.48
rubrics.name: Наноматериалы для электроники
rubrics.code: 47.45.99
rubrics.name: Прочие элементы СВЧ-техники
oecds.code: 02.10.NS
oecds.name: NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY
speciality_codes.name: Физическая электроника
speciality_codes.code: 01.04.04
supervisors.fio: Сахаров Ю.В.
supervisors.scientific_degree: Доктор технических наук
supervisors.speciality_code: Радиофизика
supervisors.responsible_type: Научный руководитель
opponents.fio: Ремнев Г.Е.
opponents.scientific_degree: Доктор технических наук
opponents.speciality_code: Радиотехнические устройства и системы
opponents.responsible_type: Оппонент
opponents.fio: Мяконьких А.В.
opponents.scientific_degree: Кандидат физико-математических наук
opponents.speciality_code: Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах
opponents.responsible_type: Оппонент
protection_organization.short_name: ТУСУР
protection_organization.name: Федеральное государственное  бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники"
protection_organization.ogrn: 1027000867068
protection_organization.organization_type: Организация
protection_organization.okogu: Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
protection_organization.okopf: Федеральные государственные бюджетные учреждения
author_organization.short_name: ТУСУР
author_organization.name: Федеральное государственное  бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники"
author_organization.ogrn: 1027000867068
author_organization.organization_type: Организация
author_organization.okogu: Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
author_organization.okopf: Федеральные государственные бюджетные учреждения