name: Фотоэлектрические явления и сверхпроводимость в гибридных Бозе–Ферми системах на основе двумерных полупроводниковых структур и графена
keyword_list: графен дихалькогениды переходных металлов гибридные твердотельные системы наноструктуры сверхпроводимость Бозе-Эйнштейновская квазиконденсация
abstract: В последнее время активной темой исследований стала физика двумерных дираковских материалов, таких как графен и дихалькогениды переходных металлов,  а также физика гибридных бозе-фермиевских систем на их основе.
  Целью настоящей работы было построение теории фотоэлектрического транспорта двумерного электронного и экситонного газов в нормальном и сверхпроводящем (сверхтекучем) состоянии и описание их взаимодействия в составе гибридных систем. Нами впервые была разработана микроскопическая теория фотогальванического эффекта в двумерных полупроводниках под действием сильного долинно-селективного электромагнитного поля накачки. Развита стационарно-неравновесная микроскопическая теория фотоиндуцированного долинного эффекта Холла. Была разработана микроскопическая теория фотоиндуцированного квантового долинного эффекта Холла в системе двумерных непрямых экситонов. Развита теория эффекта фотонного увлечения в экситонных системах. Рассчитан фотоиндуцированный электрический ток, возникающий в слое, содержащем Бозе-конденсат экситонов под воздействием внешнего электромагнитного поля с частотой, превышающей потенциал ионизации экситонов. Разработана теория парамагнитного резонанса в спин-поляризованном поляритонном газе в микрорезонаторах с беспорядком. Развита микроскопическая теория квантовых прыжков применительно к экситон-поляритонам в плоских микрорезонаторах. Разработана модель магнитоплазменного резонанса в гибридной системе, состоящей из взаимодействующих электронного газа и газа дипольных экситонов. Исследовано явление захвата электронов притягивающим кулоновским примесным центром. Разработан формализм Блоха–Грэнайзена применительно к транспорту электронов, взаимодействующих с двумерным бозе-конденсированным газом дипольных экситонов посредством кулоновского взаимодействия. Развита теория сверхпроводящего спаривания электронов с участием боголонов в рамках моделей слабой и сильной связи, и рассчитана критическая температура сверхпроводящего перехода в графене и дихалькогенидах переходных металлов. Построена теория плазменного и магнетоплазменного резонансов в двумерных материалах в окрестности температуры перехода в сверхпроводящее состояние. Описан когерентный фотогальванический эффект в сверхпроводниках во флуктуационном режиме.
chairman_dissertation_council.name: Александр
chairman_dissertation_council.surname: Асеев
chairman_dissertation_council.patronymic: Леонидович
chairman_dissertation_council.position: заведующий отделом
chairman_dissertation_council.degree: Доктор физико-математических наук
chairman_dissertation_council.rank: Академик
chairman_dissertation_council.wos_research_id: -
chairman_dissertation_council.scopus_author_id: -
chairman_dissertation_council.rinc_id: -
chairman_dissertation_council.territory: РОССИЯ
organization_supervisor.name: Александр
organization_supervisor.surname: Латышев
organization_supervisor.patronymic: Васильевич
organization_supervisor.position: директор
organization_supervisor.territory: РОССИЯ
rubrics.code: 29.19.03
rubrics.name: Теория конденсированного состояния
oecds.code: 01.03.UK
oecds.name: PHYSICS, CONDENSED MATTER
speciality_codes.name: Физика конденсированного состояния
speciality_codes.code: 1.3.8.
supervisors.fio: Ковалев В.М.
supervisors.scientific_degree: Доктор физико-математических наук
supervisors.speciality_code: Физика полупроводников
supervisors.responsible_type: Научный руководитель
opponents.fio: Шляпников Г.В.
opponents.scientific_degree: Доктор физико-математических наук
opponents.speciality_code: Физика и технология наноструктур, атомная и молекулярная физика
opponents.responsible_type: Оппонент
opponents.fio: Шубина Т.В.
opponents.scientific_degree: Доктор физико-математических наук
opponents.speciality_code: Физика полупроводников
opponents.responsible_type: Оппонент
opponents.fio: Кавокин К.В.
opponents.scientific_degree: Доктор физико-математических наук
opponents.speciality_code: Физика полупроводников
opponents.responsible_type: Оппонент
protection_organization.short_name: ИФП СО РАН
protection_organization.name: ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ НАУКИ ИНСТИТУТ ФИЗИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ИМ. А.В. РЖАНОВА СИБИРСКОГО ОТДЕЛЕНИЯ РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК
protection_organization.ogrn: 1025403651283
protection_organization.supervisor_name: АЛЕКСАНДР
protection_organization.supervisor_surname: ЛАТЫШЕВ
protection_organization.supervisor_patronymic: ВАСИЛЬЕВИЧ
protection_organization.organization_type: Организация
protection_organization.okogu: Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
protection_organization.okopf: Федеральные государственные бюджетные учреждения
author_organization.short_name: ИФП СО РАН
author_organization.name: ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ НАУКИ ИНСТИТУТ ФИЗИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ИМ. А.В. РЖАНОВА СИБИРСКОГО ОТДЕЛЕНИЯ РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК
author_organization.ogrn: 1025403651283
author_organization.supervisor_name: АЛЕКСАНДР
author_organization.supervisor_surname: ЛАТЫШЕВ
author_organization.supervisor_patronymic: ВАСИЛЬЕВИЧ
author_organization.organization_type: Организация
author_organization.okogu: Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
author_organization.okopf: Федеральные государственные бюджетные учреждения