name: Физико-технологические основы мемристивных нанослоевых композиций для аналоговых нейроморфных электронных систем
keyword_list: Зондовые методы исследования Многоуровневое переключение сопротивления Тонкие сегнетоэлектрические пленки Мемристивные нанослоевые композиции
abstract: Диссертация посвящена комплексному теоретическому и экспериментальному исследованию физических процессов в нанослоевых композициях с тонкопленочными металлооксидными и сегнетоэлектрическими функциональными слоями с целью создания мемристивных устройств, обеспечивающих возможность аналоговой энергонезависимой перестройки уровня проводимости в широком диапазоне значений.
  Разработаны и реализованы конденсаторные структуры на основе тонких TiO2-слоев с инертными электродами, в которых многоуровневая перестройка значения сопротивления в диапазоне 3 порядков достигается путем изменения концентрации заряженных дефектов при протекании обратимых окислительно-восстановительных реакций с участием кислорода и кислородсодержащих групп под действием внешнего электрического поля. Проведен анализ влияния технологии металлооксидных структур на проявление мемристивных эффектов.
  Исследовано влияние технологических параметров синтеза на проявление мемристивных эффектов в гетерогенных тонкопленочных структурах на основе последовательности TiO2 и Al2O3–слоев.
  Разработаны и реализованы подходы к управлению ключевыми (с точки зрения последующей аппаратной интеграции) рабочими параметрами тонкопленочных металлооксидных композиций на базе двухслойных TiO2/Al2O3–структур, основанные на селективной модификации функционала образующих слоев и интерфейсных областей. Показано, что наличие проводящей фазы анатаза в аморфном TiO2-слое обеспечивает электронный характер резистивной перестройки в диапазоне 7 порядков по значению, в то время как использование высокоомного аморфного TiO2-слоя приводит к преобладанию ионных процессов в наблюдаемых резистивных эффектах. 
  Предложен подход к созданию мемристивных структур с широким окном памяти (в диапазоне 8 порядков по значению), подразумевающий изменение способа организации резервуара кислородных вакансий за счет использования слоев, обладающих геттерными свойствами по кислороду.
  Разработаны подходы к организации многоуровневой перестройки резистивного состояния в мемристивных нанослоевых композициях с тонкими сегнетоэлектрическими пленками титаната бария.
  Разработаны комплексные методики исследования взаимосвязи локальных резистивных, структурных и сегнетоэлектрических свойств мемристивных нанослоевых композиций с тонкими сегнетоэлектрическими пленками на основе методов сканирующей зондовой микроскопии.
chairman_dissertation_council.name: Вячеслав
chairman_dissertation_council.surname: Мошников
chairman_dissertation_council.patronymic: Алексеевич
chairman_dissertation_council.position: профессор
chairman_dissertation_council.degree: Доктор физико-математических наук
chairman_dissertation_council.rank: Профессор
chairman_dissertation_council.wos_research_id: G-9645-2017
chairman_dissertation_council.scopus_author_id: 6701582758
chairman_dissertation_council.rinc_id: 41618
chairman_dissertation_council.territory: РОССИЯ
organization_supervisor.name: Виктор
organization_supervisor.surname: Шелудько
organization_supervisor.patronymic: Николаевич
organization_supervisor.position: ректор
organization_supervisor.territory: РОССИЯ
rubrics.code: 28.23.33
rubrics.name: Аппаратная реализация интеллектуальных систем
rubrics.code: 29.19.16
rubrics.name: Физика тонких пленок. Поверхности и границы раздела
rubrics.code: 29.19.22
rubrics.name: Физика наноструктур. Низкоразмерные структуры. Мезоскопические структуры
oecds.code: 02.02.IQ
oecds.name: ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC
speciality_codes.name: Физика полупроводников
speciality_codes.code: 01.04.10
supervisors.fio: Лучинин В.В.
supervisors.scientific_degree: Доктор технических наук
supervisors.speciality_code: Физика полупроводников
supervisors.responsible_type: Научный руководитель
opponents.fio: Сигов А.С.
opponents.scientific_degree: Доктор физико-математических наук
opponents.speciality_code: Физика конденсированного состояния
opponents.responsible_type: Оппонент
opponents.fio: Казанцев В.Б.
opponents.scientific_degree: Доктор физико-математических наук
opponents.speciality_code: Радиофизика
opponents.responsible_type: Оппонент
opponents.fio: Малыгин А.А.
opponents.scientific_degree: Доктор химических наук
opponents.speciality_code: Химия твердого тела
opponents.responsible_type: Оппонент
protection_organization.short_name: СПбГЭТУ "ЛЭТИ"
protection_organization.name: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет “ЛЭТИ” им. В.И. Ульянова (Ленина)"
protection_organization.ogrn: 1027806875381
protection_organization.organization_type: Организация
protection_organization.okogu: Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
protection_organization.okopf: Федеральные государственные автономные учреждения
author_organization.short_name: СПбГЭТУ "ЛЭТИ"
author_organization.name: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет “ЛЭТИ” им. В.И. Ульянова (Ленина)"
author_organization.ogrn: 1027806875381
author_organization.organization_type: Организация
author_organization.okogu: Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
author_organization.okopf: Федеральные государственные автономные учреждения