name: Исследование свойств эпитаксиальных пленок и объемных кристаллов нитрида и оксида галлия для создания приборов силовой электроники
keyword_list: широкозонные полупроводниковые материалы, жидкофазный и газофазный рост, дефекты в нитридных и оксидных полупроводниках, alpha-Ga2O3, beta-Ga2O3, GaN, монокристалл, дефект упаковки, дислокация, граница двойникования, просвечивающая электронная микроскопия,
abstract: Цель работыРазработка физико-технологических основ улучшения структурных свойств толстых эпитаксиальных пленок GaN, полученных на текстурированных подложках GaN/Al2O3 и Ga2O3, полученных на чужеродных подложках, а также объемных кристаллов Ga2O3.Задачи работы Изучение механизмов снижения плотности дислокаций при использовании способа получения эпитаксиальных пленок GaN на текстурированных подложках GaN/Al2O3 методом металлоорганической газофазной эпитаксии (ГФЭ МОС); Исследование структурных характеристик эпитаксиальных пленок Ga2O3, выращенных на различных чужеродных подложках методом хлорид-гидридной газофазной эпитаксии (ХГФЭ); Анализ структурных характеристик объемных кристаллов (AlxGa1-x)2O3, выращенных из расплава методом Чохральского; Детальное исследование дефектной структуры полученных образцов, определение типа дислокаций, их плотности и распределения; Формирование комплексного подхода для улучшения кристаллического качества получаемых эпитаксиальных пленок GaN и Ga2O3, а также объемных кристаллов Ga2O3.Основные результатыПредложен и опробован способ эпитаксиального выращивания слоев GaN толщиной 400 мкм с высокой плотностью дефектов упаковки в призматических и базисной плоскостях на текстурированной подложке – буфере с квадратным порядком расположения столбиков. При этом плотность проникающих дислокаций (ПД) в эпитаксиальном слое GaN, полученном методом ГФЭ МОС, составила (1÷2)×107 см-2.Разработан способ получения толстых эпитаксиальных пленок Ga2O3 методом ХГФЭ. Максимальная достигнутая толщина пленки Ga2O3 составила 46 мкм при выращивании на подложке AlN.Получены эпитаксиальные пленки (AlxGa1-x)2O3 на подложке Al2O3 методом ХГФЭ. Впервые обнаружено двойникование по плоскостям типа  , обнаружены ДУ по плоскостям типа {111}. Изучены морфологические и структурные характеристики объемных кристаллов (AlxGa1-x)2O3, выращенных из расплава методом Чохральского.
chairman_dissertation_council.surname: Романов А.Е.
chairman_dissertation_council.position: профессор (квалификационная категория «ведущий профессор»)
chairman_dissertation_council.degree: Доктор физико-математических наук
organization_supervisor.surname: Васильев В. Н.
organization_supervisor.position: Ректор
organization_supervisor.degree: Доктор технических наук
rubrics.code: 29.19.11
rubrics.name: Дефекты кристаллической структуры
rubrics.code: 29.19.04
rubrics.name: Структура твердых тел
rubrics.code: 29.19.31
rubrics.name: Полупроводники
oecds.code: 02.05.QH
oecds.name: MATERIALS SCIENCE, COMPOSITES
oecds.code: 02.05.QF
oecds.name: MATERIALS SCIENCE, CHARACTERIZATION & TESTING
oecds.code: 01.03.UK
oecds.name: PHYSICS, CONDENSED MATTER
speciality_codes.name: Физика полупроводников
speciality_codes.code: 01.04.10
supervisors.fio: Бугров Владислав Евгеньевич
supervisors.scientific_degree: Доктор физико-математических наук
supervisors.speciality_code: Физика полупроводников
supervisors.responsible_type: Научный руководитель
opponents.fio: Бобылев Сергей Владимирович
opponents.scientific_degree: Доктор физико-математических наук
opponents.responsible_type: Оппонент
opponents.fio: Черкашин Николай Анатольевич
opponents.scientific_degree: Кандидат физико-математических наук
opponents.responsible_type: Оппонент
protection_organization.short_name: УНИВЕРСИТЕТ ИТМО; НИУ ИТМО; ИТМО
protection_organization.name: ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ АВТОНОМНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ ИТМО"
protection_organization.ogrn: 1027806868154
protection_organization.organization_type: Организация
protection_organization.okogu: Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
protection_organization.okopf: Федеральные государственные автономные учреждения
author_organization.short_name: УНИВЕРСИТЕТ ИТМО; НИУ ИТМО; ИТМО
author_organization.name: ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ АВТОНОМНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ ИТМО"
author_organization.ogrn: 1027806868154
author_organization.organization_type: Организация
author_organization.okogu: Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
author_organization.okopf: Федеральные государственные автономные учреждения