name: Исследование слоистых структур на основе легированных бором монокристаллов алмаза для применения в полупроводниковой электронике
keyword_list: АЛМАЗ, ПОЛУПРОВОДНИК, ДИОД ШОТТКИ, СИЛОВАЯ ЭЛЕКТРОНИКА, ЭФФЕКТ ХОЛЛА, ЛЕГИРОВАННЫЙ БОРОМ АЛМАЗ
abstract: Проведено комплексное исследование электрофизических свойств легированных бором объемных синтетических монокристаллических алмазов, выращенных методом температурного градиента при высоких давлении и температуре. Изучены температурные зависимости электрической проводимости и коэффициента Холла алмазов с концентрацией бора в диапазоне 10¹⁵ - 10¹⁹ см⁻³ (5 ppb - 50 ppm). Выявлено, что увеличение степени легирования монокристаллов алмаза бором свыше 2 · 10¹⁶ см³ (0,1 ppm) не приводит к увеличению концентрации свободных дырок в ростовом секторе {100} за счет обнаруженного дополнительного внедрения компенсирующей донорной примеси. Установлено, что минимальным удельным сопротивлением (2 - 4 Ом · см) при комнатной температуре обладают алмазы с концентраций бора от 2 · 10¹⁷ до 2 · 10¹⁸ см⁻³. Разработаны и изготовлены алмазные диоды Шоттки, характеризующиеся прямым током 5 A при 6 В и обратным напряжением 1000 В при токе утечки менее 100 мкА.
chairman_dissertation_council.surname: Горнев Е.С.
chairman_dissertation_council.position: зам. руководителя приоритетного технологического направления по электронным технологиям, АО «НИИМЭ»
chairman_dissertation_council.degree: Доктор технических наук
organization_supervisor.surname: Кудрявцев Н. Н.
organization_supervisor.position: ректор
organization_supervisor.degree: Доктор физико-математических наук
rubrics.code: 29.19.31
rubrics.name: Полупроводники
rubrics.code: 29.19.23
rubrics.name: Теория электрических свойств твердых тел
oecds.code: 01.03.UB
oecds.name: PHYSICS, APPLIED
oecds.code: 01.03.UK
oecds.name: PHYSICS, CONDENSED MATTER
speciality_codes.name: Физика полупроводников
speciality_codes.code: 01.04.10
supervisors.fio: Буга С.Г.
supervisors.scientific_degree: Доктор физико-математических наук
supervisors.speciality_code: Физическая электроника
supervisors.responsible_type: Научный руководитель
opponents.fio: нет
opponents.responsible_type: Оппонент
opponents.fio: нет
opponents.responsible_type: Оппонент
protection_organization.short_name: МФТИ
protection_organization.name: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Московский физико-технический институт (национальный исследовательский  университет)"
protection_organization.ogrn: 1027739386135
protection_organization.organization_type: Организация
protection_organization.okogu: Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
protection_organization.okopf: Федеральные государственные автономные учреждения
author_organization.short_name: ФГБНУ ТИСНУМ
author_organization.name: федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Технологический институт сверхтвердых и новых углеродных материалов"
author_organization.ogrn: 1025006036439
author_organization.organization_type: Организация
author_organization.okogu: Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
author_organization.okopf: Федеральные государственные бюджетные учреждения