name: Теория терагерцевой лазерной генерации в узкозонных полупроводниках
keyword_list: Лазерная генерация, узкозонный полупроводник, графен, квантовая яма, оже-рекомбинация, плазмон
abstract: Разработан метод расчёта темпа оже-рекомбинации с учётом эффектов межэлектронного взаимодействия. Рассчитаны времена оже-рекомбинации в графене, в квантовых ямах HgCdTe. Показано, что рекомбинация с испусканием двумерных плазмонов в узких квантовых ямах HgCdTe имеет порог по концентрации носителей, при превышении которого темп рекомбинации резко увеличивается. Процесс плазмонной рекомбинации, который становится разрешён при минимальной концентрации носителей, требует наличия дырок в боковом максимуме валентной зоны и может быть подавлен при низких температурах и уровнях инжекции. Получены оценки пороговых токов, рабочих температур и частот генерации лазерных диодов на основе графена и узких квантовых ям HgCdTe, согласно которым такие диоды могут быть использованы для генерации в диапазоне от 6 ТГц и выше при температуре жидкого азота.
chairman_dissertation_council.surname: Лейман В.Г..
chairman_dissertation_council.position: главный научный сотрудник
chairman_dissertation_council.degree: Доктор физико-математических наук
organization_supervisor.surname: Баган В.А.
organization_supervisor.position: проректор по научной работе
organization_supervisor.degree: Кандидат физико-математических наук
rubrics.code: 29.19.03
rubrics.name: Теория конденсированного состояния
rubrics.code: 29.33.51
rubrics.name: Физические основы применения лазеров
rubrics.code: 29.19.31
rubrics.name: Полупроводники
oecds.code: 01.03.UK
oecds.name: PHYSICS, CONDENSED MATTER
speciality_codes.name: Физика конденсированного состояния
speciality_codes.code: 01.04.07
supervisors.fio: Свинцов Д.А.
supervisors.scientific_degree: Кандидат физико-математических наук
supervisors.speciality_code: Физика конденсированного состояния
supervisors.responsible_type: Научный руководитель
opponents.fio: нет
opponents.responsible_type: Оппонент
opponents.fio: нет
opponents.responsible_type: Оппонент
protection_organization.short_name: МФТИ
protection_organization.name: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Московский физико-технический институт (национальный исследовательский  университет)"
protection_organization.ogrn: 1027739386135
protection_organization.organization_type: Организация
protection_organization.okogu: Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
protection_organization.okopf: Федеральные государственные автономные учреждения
author_organization.short_name: МФТИ
author_organization.name: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Московский физико-технический институт (национальный исследовательский  университет)"
author_organization.ogrn: 1027739386135
author_organization.organization_type: Организация
author_organization.okogu: Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
author_organization.okopf: Федеральные государственные автономные учреждения