name: Приборно-технологическое моделирование свойств мощных СВЧ транзисторов с высокой подвижностью электронов  на основе гетероструктур GaAs/AlGaAs/InGaAs с одним и двумя дельта-слоями и гетероструктурных GaN транзисторов с буферным слоем, легированным железом Fe и углеродом C
keyword_list: СВЧ транзисторы нитрид галлия арсенид галлия двухмерный электронный газ гетероструктуры Полевые HEMT транзисторы
abstract: Диссертация посвящена исследованию свойств HEMT транзисторов на основе арсенида галлия и нитрида галлия путем приборно-технологического моделирования в системе Sentaurus TCAD. Найденные конструкции метаморфных HEMT GaAs транзисторов позволяют улучшить их СВЧ характеристики. Доказана перспективность разработанных высокоомных буферных слоев на нитриде галлия путем легирования буферного слоя железом или углеродом для создания современных высокочастотных HEMT  транзисторов. Изучены факторы, определяющие влияние легирования железом Fe и углеродом C на эффект вытеснения носителей заряда из буфера. На основе моделирования лавинного пробоя, показана возможность повышения напряжения пробоя до значений 400 - 500 (В), при использовании легирования буфера GaN, как углеродом, так и железом
chairman_dissertation_council.name: Юрий
chairman_dissertation_council.surname: Чаплыгин
chairman_dissertation_council.patronymic: Александрович
chairman_dissertation_council.position: президент
chairman_dissertation_council.degree: Доктор технических наук
chairman_dissertation_council.rank: Академик
chairman_dissertation_council.wos_research_id: B-3188-2016
chairman_dissertation_council.scopus_author_id: 6603797878
chairman_dissertation_council.rinc_id: 116306
chairman_dissertation_council.orcid: 0000-0002-7505-5175
chairman_dissertation_council.territory: РОССИЯ
organization_supervisor.name: Владимир
organization_supervisor.surname: Беспалов
organization_supervisor.patronymic: Александрович
organization_supervisor.position: ректор
organization_supervisor.territory: РОССИЯ
rubrics.code: 47.14.07
rubrics.name: Проектирование и конструирование полупроводниковых приборов и приборов микроэлектроники
oecds.code: 02.02.IQ
oecds.name: ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC
speciality_codes.name: Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах
speciality_codes.code: 05.27.01
supervisors.fio: Корнеев В.И.
supervisors.scientific_degree: Кандидат физико-математических наук
supervisors.speciality_code: Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах
supervisors.responsible_type: Научный руководитель
opponents.fio: Петросянц К.О.
opponents.scientific_degree: Доктор технических наук
opponents.speciality_code: Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах
opponents.responsible_type: Оппонент
opponents.fio: Савинов С.А.
opponents.scientific_degree: Кандидат физико-математических наук
opponents.speciality_code: Физика конденсированного состояния
opponents.responsible_type: Оппонент
protection_organization.short_name: НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ "МИЭТ"; НИУ МИЭТ;МИЭТ
protection_organization.name: ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ АВТОНОМНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ "МОСКОВСКИЙ ИНСТИТУТ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ"
protection_organization.ogrn: 1027739615584
protection_organization.supervisor_name: ВЛАДИМИР
protection_organization.supervisor_surname: БЕСПАЛОВ
protection_organization.supervisor_patronymic: АЛЕКСАНДРОВИЧ
protection_organization.organization_type: Организация
protection_organization.okogu: Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
protection_organization.okopf: Федеральные государственные автономные учреждения
author_organization.short_name: НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ "МИЭТ"; НИУ МИЭТ;МИЭТ
author_organization.name: ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ АВТОНОМНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ "МОСКОВСКИЙ ИНСТИТУТ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ"
author_organization.ogrn: 1027739615584
author_organization.supervisor_name: ВЛАДИМИР
author_organization.supervisor_surname: БЕСПАЛОВ
author_organization.supervisor_patronymic: АЛЕКСАНДРОВИЧ
author_organization.organization_type: Организация
author_organization.okogu: Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
author_organization.okopf: Федеральные государственные автономные учреждения