name: Приборно-технологическое моделирование субмикронных МОП-транзисторов со структурой кремний на изоляторе с учетом температурных и радиационных эффектов
keyword_list: МОП-транзисторы, кремний на изоляторе МОП-транзисторы, приборно-технологическое моделирование, радиационные излучения, температурные эффекты
abstract: Цель диссертационной работы является разработка моделей и развитие методов приборно-технологического моделирования объемных и КНИ субмикронных МОП-транзисторов с учетом температурных и радиационных эффектов. Модернизированные и новые разработанные радиационные и температурные модели для основных электрофизических параметров (времен жизни, подвижностей, скоростей рекомбинации носителей заряда, концентраций ловушечных уровней в оксиде и на границах кремний-оксид, электро- и теплопроводности и др.) встроены в среду приборно-технологического моделирования TCAD. Разработанные радиационные модели учитывают воздействие гамма-облучения, нейтронов и протонов на МОП-транзисторные структуры. Температурные модели учитывают эффекты “саморазогрева”, сверхвысоких (до 300°С) и сверхнизких (до -200°С) внешних температур, совместного воздействия температуры и ионизирующего излучения. Предложен вариант квази-трехмерной модели КНИ МОП-транзисторных структур, позволяющий на порядок сократить время расчета характеристик с учетом воздействия ионизирующего излучения на структуры с мелкощелевой изоялцией. Разработанные модели использованы на предприятиях филиал РФЯЦ-ВНИИЭФ «НИИИС им. Ю.Е. Седакова», ДЦ «ПМС» МИЭТ, ФГБНУ «НИИ ПМТ» при выполнении ряда х/д НИР.
chairman_dissertation_council.surname: Стемпковский А. Л.
chairman_dissertation_council.position: научный руководитель Института
chairman_dissertation_council.degree: Доктор технических наук
organization_supervisor.surname: Гаврилов С. В.
organization_supervisor.position: директор
organization_supervisor.degree: Доктор технических наук
rubrics.code: 50.51.19
rubrics.name: Применение вычислительной техники и других средств автоматизации проектирования
rubrics.code: 47.14.07
rubrics.name: Проектирование и конструирование полупроводниковых приборов и приборов микроэлектроники
rubrics.code: 47.14.21
rubrics.name: Условия эксплуатации радиоэлектронной аппаратуры и защита от внешних воздействий
oecds.code: 02.02.IQ
oecds.name: ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC
speciality_codes.name: Системы автоматизации проектирования (по отраслям)
speciality_codes.code: 05.13.12
supervisors.fio: Петросянц К.О.
supervisors.scientific_degree: Доктор технических наук
supervisors.speciality_code: Системы автоматизации проектирования (по отраслям)
supervisors.responsible_type: Научный руководитель
opponents.fio: Зебрев Г.И.
opponents.scientific_degree: Доктор технических наук
opponents.speciality_code: Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах
opponents.responsible_type: Оппонент
opponents.fio: Горбунов М.С.
opponents.scientific_degree: Кандидат технических наук
opponents.speciality_code: Элементы и устройства вычислительной техники и систем управления
opponents.responsible_type: Оппонент
protection_organization.short_name: ИППМ РАН
protection_organization.name: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем проектирования в микроэлектронике Российской академии наук
protection_organization.ogrn: 1037739118560
protection_organization.organization_type: Организация
protection_organization.okogu: Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
protection_organization.okopf: Федеральные государственные бюджетные учреждения
author_organization.short_name: Национальный исследовательский университет "Высшая школа экономики"; Национальный исследовательский университет ВШЭ; Высшая школа экономики; НИУ ВШЭ; ВШЭ
author_organization.name: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Высшая школа экономики"
author_organization.ogrn: 1027739630401
author_organization.organization_type: Организация
author_organization.okogu: Правительство Российской Федерации
author_organization.okopf: Федеральные государственные автономные учреждения