name: SiGe гетероструктуры, выращенные на различных подложках: релаксация упругих напряжений, люминесценция и селективное легирование
keyword_list: сегрегация люминесценция самоформирующиеся наноостровки и квантовые точки упругие напряжения SiGe гетероструктуры Эпитаксия
abstract: Целью работы являлось выявление влияния знака деформации SiGe слоев на процессы релаксации упругих напряжений в них, развитие методов легирования SiGe структур донорами, установление связи между спектральным положением сигнала люминесценции Ge(Si) самоформирующихся наноостровков и их параметрами, а также определение основных параметров Ge(Si) островков, оказывающих влияние на интенсивность их сигнала люминесценции при комнатной температуре.
  Выявленное за счет исследования роста SiGe структур на различных подложках (Si(001) и Ge(001) монокристаллических подложках, а также на релаксированных SiGe/Si(001) буферах) влияние знака деформации на процессы релаксации упругих напряжений в них связывается с зависимостью энергии моноатомных ступеней на поверхности (001) с реконструкцией атомов (2×1) от знака деформации. Рост энергии моноатомных ступеней при приложении деформации растяжения препятствует развитию шероховатости поверхности роста и, как следствие, образованию бездефектных островков при осаждении растянутых Si1-xGex слоев. Установлена связь между параметрами Ge(Si)/Si(001) самоформирующихся островков и их спектрами люминесценции. Показано, что интенсивность сигнала люминесценции куполообразных Ge(Si) островков при комнатной температуре увеличивается с ростом доли Ge в них, которое происходит при понижении температуры роста до 6000С. Впервые продемонстрирована возможность управления люминесцентными свойствами Ge(Si) островков за счет их встраивания между слоями растянутого Si при росте на релаксированных SiGe/Si(001) буферах или подложках «напряженный кремний на изоляторе». Впервые в широком диапазоне температур роста экспериментально определена температурная зависимость коэффициента сегрегации Sb в Ge(001) гомоэпитаксиальных структурах. На основе полученных температурных зависимостей сегрегационных свойств Sb в SiGe гетероструктурах предложен оригинальный метод их селективного легирования сегрегирующими примесями. С использованием этого метода получены селективно легированные сурьмой SiGe гетероструктуры с градиентом распределения примеси на границах легированных слоев в 2–3 нм декаду и шириной δ-легированных слоев в 2–3 нм.
chairman_dissertation_council.name: Александр
chairman_dissertation_council.surname: Асеев
chairman_dissertation_council.patronymic: Леонидович
chairman_dissertation_council.position: заведующий отделом
chairman_dissertation_council.degree: Доктор физико-математических наук
chairman_dissertation_council.rank: Академик
chairman_dissertation_council.wos_research_id: -
chairman_dissertation_council.scopus_author_id: -
chairman_dissertation_council.rinc_id: -
chairman_dissertation_council.orcid: -
chairman_dissertation_council.territory: РОССИЯ
organization_supervisor.name: Александр
organization_supervisor.surname: Латышев
organization_supervisor.patronymic: Васильевич
organization_supervisor.position: директор
organization_supervisor.territory: РОССИЯ
rubrics.code: 29.19.22
rubrics.name: Физика наноструктур. Низкоразмерные структуры. Мезоскопические структуры
oecds.code: 01.03.UK
oecds.name: PHYSICS, CONDENSED MATTER
speciality_codes.name: Физика полупроводников
speciality_codes.code: 01.04.10
opponents.fio: Зотов А.В.
opponents.scientific_degree: Доктор физико-математических наук
opponents.speciality_code: Физика конденсированного состояния
opponents.responsible_type: Оппонент
opponents.fio: Егоров А.Ю.
opponents.scientific_degree: Доктор физико-математических наук
opponents.speciality_code: Физика полупроводников
opponents.responsible_type: Оппонент
opponents.fio: Эрвье Ю.Ю.
opponents.scientific_degree: Доктор физико-математических наук
opponents.speciality_code: Физика конденсированного состояния
opponents.responsible_type: Оппонент
protection_organization.short_name: ИФП СО РАН
protection_organization.name: ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ НАУКИ ИНСТИТУТ ФИЗИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ИМ. А.В. РЖАНОВА СИБИРСКОГО ОТДЕЛЕНИЯ РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК
protection_organization.ogrn: 1025403651283
protection_organization.supervisor_name: АЛЕКСАНДР
protection_organization.supervisor_surname: ЛАТЫШЕВ
protection_organization.supervisor_patronymic: ВАСИЛЬЕВИЧ
protection_organization.organization_type: Организация
protection_organization.okogu: Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
protection_organization.okopf: Федеральные государственные бюджетные учреждения
author_organization.short_name: ИФМ РАН
author_organization.name: Институт физики микроструктур РАН – филиал Федерального государственного бюджетного научного учреждения «Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук»
author_organization.ogrn: 1025203020193
author_organization.organization_type: Организация
author_organization.okogu: Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
author_organization.okopf: Филиалы юридических лиц