name: Низковольтные диффузионные р-n-переходы с туннельным и смешанным механизмами пробоя в технике полупроводниковых приборов
keyword_list: Сплавной р-n-переход Диффузионный р-n-переход Туннельный пробой Стабилитрон Термокомпенсированный стабилитрон Ограничитель напряжения
abstract: Объект, предмет исследования: кремниевые диффузионные р-n-переходы с туннельным и смешанным механизмами пробоя, низковольтные стабилитроны, термокомпенсированные стабилитроны и ограничители напряжения  на их основе.
  Цель работы - замещение сплавной технологии изготовления низковольтных р-n-структур с туннельным механизмом пробоя диффузионной. Разработка и внедрение в серийное производство низковольтных планарных стабилитронов, термокомпенсированных стабилитронов и ограничителей напряжения. 
  Методы исследования:  комплексное изучение теоретических и практических проблем достижения поставленной цели,  анализ  полученных сведений и эксперимент. 
  Главное условие достижения поставленной цели состоит в том, что в диффузионном р-n-переходе с туннельным механизмом пробоя необходимо обеспечение предельно возможного уровня величины эффективной концентрации легирующих примесей.   
  Разработана удовлетворяющая этому условию оригинальная высококонцентрационная технология диффузии мышьяка в сильнолегированный  Si  в эвакуированном реакторе из неограниченного источника. Разработан и внедрён в производство ряд серий низковольтных стабилитронов, термокомпенсированных стабилитронов, в том числе высшего класса аттестуемых ультрапрецизионных, и нового в отечественном приборостроении класса полупроводниковых приборов – низковольтных ограничителей напряжения.   
  Области применения: вследствие их функционального назначения в качестве стабилизированных источников опорного напряжения и элементов быстродействующей защиты радиоэлектронного оборудования от действия наведённых электрических импульсов катастрофического характера, разработанные стабилитроны и ограничители напряжения применяются практически во всех областях электронной техники, в том числе ракетной.
chairman_dissertation_council.name: Валерий
chairman_dissertation_council.surname: Драгунов
chairman_dissertation_council.patronymic: Павлович
chairman_dissertation_council.position: Заведующий отделом подготовки кадров высшей квалификации
chairman_dissertation_council.degree: Доктор технических наук
chairman_dissertation_council.rank: Доцент
chairman_dissertation_council.wos_research_id: P-7558-2015
chairman_dissertation_council.scopus_author_id: 57190898658
chairman_dissertation_council.rinc_id: 175680
chairman_dissertation_council.url: https://ciu.nstu.ru/kaf/persons/2011
chairman_dissertation_council.territory: РОССИЯ
organization_supervisor.name: Анатолий
organization_supervisor.surname: Батаев
organization_supervisor.patronymic: Андреевич
organization_supervisor.position: Ректор
organization_supervisor.territory: РОССИЯ
rubrics.code: 47.14.07
rubrics.name: Проектирование и конструирование полупроводниковых приборов и приборов микроэлектроники
rubrics.code: 47.13.11
rubrics.name: Технология и оборудование для производства полупроводниковых приборов и приборов микроэлектроники
rubrics.code: 29.19.31
rubrics.name: Полупроводники
oecds.code: 01.03.UB
oecds.name: PHYSICS, APPLIED
oecds.code: 02.02.IQ
oecds.name: ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC
speciality_codes.name: Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах
speciality_codes.code: 05.27.01
supervisors.fio: Горнев Е. С.
supervisors.scientific_degree: Доктор технических наук
supervisors.speciality_code: Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах
supervisors.responsible_type: Научный руководитель
opponents.fio: Петросянц К. О.
opponents.scientific_degree: Доктор технических наук
opponents.speciality_code: Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах
opponents.responsible_type: Оппонент
opponents.fio: Троян П. Е.
opponents.scientific_degree: Доктор технических наук
opponents.speciality_code: Физическая электроника
opponents.responsible_type: Оппонент
opponents.fio: Наумова О. В.
opponents.scientific_degree: Доктор физико-математических наук
opponents.speciality_code: Физика полупроводников
opponents.responsible_type: Оппонент
protection_organization.short_name: НГТУ
protection_organization.name: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Новосибирский государственный технический университет»
protection_organization.ogrn: 1025401485010
protection_organization.organization_type: Организация
protection_organization.okogu: Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
protection_organization.okopf: Федеральные государственные бюджетные учреждения
author_organization.short_name: АО "НЗПП ВОСТОК"
author_organization.name: АКЦИОНЕРНОЕ ОБЩЕСТВО "НОВОСИБИРСКИЙ ЗАВОД ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ ВОСТОК"
author_organization.ogrn: 1115476167180
author_organization.supervisor_name: ДМИТРИЙ
author_organization.supervisor_surname: ЖИДКОВ
author_organization.supervisor_patronymic: ВЛАДИМИРОВИЧ
author_organization.organization_type: Организация
author_organization.okogu: Государственная корпорация по содействию разработке, производству и экспорту высокотехнологичной промышленной продукции "Ростех"
author_organization.okopf: Непубличные акционерные общества