name: Мощные быстродействующие диоды на основе гетероэпитаксиальных структур нитрида галлия
keyword_list: ДИОД ШОТТКИ, ГЕТЕРОСТРУКТУРА ALGAN/GAN, БАРЬЕРНЫЙ КОНТАКТ, ОМИЧЕСКИЙ КОНТАКТ
abstract: Объекты исследования: диоды Шоттки (ДШ), для изготовления которых использовали гетероструктуру pGaN/AlGaN/GaN, выращенную на Si- подложке. Цель: разработка технологии создания и исследование характеристик диодов Шоттки на основе гетероструктуры pGaN/AlGaN/GaN, выращенной на кремниевой подложке. Разработана технология создания AlGaN/GaN-ДШ на базе гетероструктуры pGaN/AlGaN/GaN. Предложенная технология создания ДШ позволяет объединить в монолитной интегральной схеме диоды и НЗ-транзисторы, снизить массогабаритные показатели и улучшить характеристики высокоэффективных источников вторичного электропитания на основе GaN электронно-компонентной базы. Получены низкотемпературные омические контакты на основе металлизации Ta/Al к гетероструктуре AlGaN/GaN, выращенной на кремниевой подложке. Установлено, что для ДШ, изготовленных на основе pGaN/AlGaN/GaN-гетероструктуры, применение анодного рецесса на глубину до 75% от толщины барьерного слоя AlGaN перед формированием барьера Шоттки увеличивает прямой и обратный токи диода. Предложен технологический маршрут создания мощных AlGaN/GaN-диодов, совместимый с технологией создания pGaN/AlGaN/GaN-НЗ-транзисторов.
chairman_dissertation_council.surname: Шандаров С.М.
chairman_dissertation_council.position: профессор
chairman_dissertation_council.degree: Доктор физико-математических наук
organization_supervisor.surname: Лощилов А.Г.
organization_supervisor.position: проректор по НРиИ
organization_supervisor.degree: Кандидат технических наук
rubrics.code: 29.19.31
rubrics.name: Полупроводники
oecds.code: 02.02.IQ
oecds.name: ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC
speciality_codes.name: Физическая электроника
speciality_codes.code: 01.04.04
supervisors.fio: Троян П.Е.
supervisors.scientific_degree: Доктор технических наук
supervisors.speciality_code: Физическая электроника
supervisors.responsible_type: Научный руководитель
opponents.fio: Величко А.А.
opponents.scientific_degree: Доктор технических наук
opponents.speciality_code: Физика полупроводников
opponents.responsible_type: Оппонент
opponents.fio: Малаховский О.Ю.
opponents.scientific_degree: Кандидат физико-математических наук
opponents.speciality_code: Физика полупроводников
opponents.responsible_type: Оппонент
protection_organization.short_name: ТУСУР
protection_organization.name: Федеральное государственное  бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники"
protection_organization.ogrn: 1027000867068
protection_organization.organization_type: Организация
protection_organization.okogu: Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
protection_organization.okopf: Федеральные государственные бюджетные учреждения
author_organization.short_name: ТУСУР
author_organization.name: Федеральное государственное  бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники"
author_organization.ogrn: 1027000867068
author_organization.organization_type: Организация
author_organization.okogu: Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
author_organization.okopf: Федеральные государственные бюджетные учреждения