name: СПЕКТРОСКОПИЯ ОТДЕЛЬНЫХ ДЕФЕКТОВ В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СОЕДИНЕНИЯХ A2B6 И ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ НА ИХ ОСНОВЕ
keyword_list: изолированные излучатели полупроводники группы AIIBVI фотолюминесценция протяжённые дефекты спектроскопия
abstract: Диссертационная работа посвящена экспериментальному исследованию оптических свойств протяжённых дефектов в полупроводниковых соединениях A2B6 и гетероструктурах на их основе методом низкотемпературной микрофотолюминесценции (МФЛ). Особое внимание уделено обнаружению и свойствам изолированных (квантовых) излучателей, связанных с дислокациями в твёрдых растворах CdZnTe, плёнках CdTe на кремнии и арсениде галлия и квантовых ямах (КЯ) ZnSe/ZnMgSSe. При низких (5 К) температурах в условиях оптического возбуждения выше края фундаментального поглощения обнаружены признаки фазового перехода «электронно-дырочная плазма – экситонные состояния» в неравновесной электронно-дырочной системе, связанной с ядрами частичных дислокаций в кристаллах А2В6. Возникающие в результате фазового перехода экситонные состояния проявляются в виде изолированных (квантовых) излучателей, характеризующихся узкой линией излучения, высокой степенью линейной поляризации и слабой связью с решёткой через фрёлиховский механизм электрон-фононного взаимодействия. Показано, что картирование сигнала низкотемпературной фотолюминесценции, разрешенной по поляризации, позволяет восстановить картину распространения частичных дислокаций в объемных материалах А2В6 и гетероструктурах на их основе. В частности, установлено, что в плёнках CdTe/Si (1 0 3) ядра частичных дислокаций Шокли привязаны к выделенному направлению семейства <1 1 0>, в то время как для плёнок CdTe/GaAs (1 0 3) отсутствует выделенное направление <1 1 0> в пространственной ориентации дислокаций Шокли. Показано, что использование сфокусированного лазерного излучения с длиной волны 1053 нм позволяет локально перестраивать структуру дислокационных ядер в CdTe, не воздействуя на невозмущённую кристаллическую решётку. На основе измерений спектров низкотемпературной микрофотолюминесценции гетероструктур ZnSe/ZnMgSSe/GaAs продемонстрировано существование квантовых излучателей, для которых характерны сильная связь с решёткой и скачкообразные биения бесфононной линии излучения с течением времени на масштабах до 10 мэВ. Данный тип излучателей отождествлён с люминесценцией одиночных донорно-акцепторных пар. Анализ обнаруженных излучателей позволяет реализовать квантовое зондирование отдельного акцептора (донора), при условии, что свойства донора (акцептора) в паре известны.
chairman_dissertation_council.name: Николай
chairman_dissertation_council.surname: Колачевский
chairman_dissertation_council.patronymic: Николаевич
chairman_dissertation_council.position: Директор
chairman_dissertation_council.degree: Доктор физико-математических наук
chairman_dissertation_council.rank: Член-корреспондент РАН
chairman_dissertation_council.wos_research_id: D-2448-2013
chairman_dissertation_council.scopus_author_id: 57156697700
chairman_dissertation_council.territory: РОССИЯ
organization_supervisor.name: Николай
organization_supervisor.surname: Колачевский
organization_supervisor.patronymic: Николаевич
organization_supervisor.position: директор
organization_supervisor.territory: РОССИЯ
rubrics.code: 29.31.23
rubrics.name: Люминесценция
rubrics.code: 29.19.11
rubrics.name: Дефекты кристаллической структуры
rubrics.code: 29.19.31
rubrics.name: Полупроводники
oecds.code: 01.03.UK
oecds.name: PHYSICS, CONDENSED MATTER
speciality_codes.name: Физика конденсированного состояния
speciality_codes.code: 01.04.07
supervisors.fio: Кривобок В.С.
supervisors.scientific_degree: Кандидат физико-математических наук
supervisors.speciality_code: Физика конденсированного состояния
supervisors.responsible_type: Научный руководитель
opponents.fio: Ильичёв Э. А.
opponents.scientific_degree: Доктор физико-математических наук
opponents.speciality_code: Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах
opponents.responsible_type: Оппонент
opponents.fio: Константинова Е. А.
opponents.scientific_degree: Доктор физико-математических наук
opponents.speciality_code: Физика полупроводников
opponents.responsible_type: Оппонент
protection_organization.short_name: ФИАН
protection_organization.name: ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ НАУКИ ФИЗИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ ИМ. П.Н. ЛЕБЕДЕВА РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК
protection_organization.ogrn: 1027739617960
protection_organization.supervisor_name: НИКОЛАЙ
protection_organization.supervisor_surname: КОЛАЧЕВСКИЙ
protection_organization.supervisor_patronymic: НИКОЛАЕВИЧ
protection_organization.organization_type: Организация
protection_organization.okogu: Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
protection_organization.okopf: Федеральные государственные бюджетные учреждения
author_organization.short_name: ФИАН
author_organization.name: ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ НАУКИ ФИЗИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ ИМ. П.Н. ЛЕБЕДЕВА РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК
author_organization.ogrn: 1027739617960
author_organization.supervisor_name: НИКОЛАЙ
author_organization.supervisor_surname: КОЛАЧЕВСКИЙ
author_organization.supervisor_patronymic: НИКОЛАЕВИЧ
author_organization.organization_type: Организация
author_organization.okogu: Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
author_organization.okopf: Федеральные государственные бюджетные учреждения