name: Детекторные кристаллы на основе CdTe и Cd₁₋ₓZnₓTe для прямого счета рентгеновских и гамма-квантов
keyword_list: cDtE, cDZNTE, ДЕТЕКТОРЫ, РОСТ КРИСТАЛЛОВ,
abstract: Реализован и успешно применён комплекс методов очистки и получения особо чистых материалов Cd, Zn, Te и выращивания кристаллов CdTe и CdZnTe с повышенным совершенством микроструктуры и химической однородностью. Проведены математическое моделирование и оптимизация процессов роста кристаллов. Предложена методика очистки с потерями очищаемого материала менее 1%, которая может быть использована для разработки промышленной технологии получения особо чистых Cd, Te и Zn. Определены оптимальные условия роста (градиенты температур: осевой — 2 − 3 К/см и радиальный — 0,2 − 0,4 К/см) с плоским фронтом кристаллизации, способствующие уменьшению дефектов структуры. Выявлены различия в микроструктуре кристаллов Cd₁₋ₓZnₓTe в зависимости от концентрации Zn и условий получения. Определены условия механохимической полировки поверхности кристаллов CdTe и CdZnTe, обеспечивающие шероховатость не более 1 нм в сантиметровом диапазоне, что позволило снизить величины темновых токов и увеличить эффективное удельное электросопротивление до 10¹⁰ - 10¹¹ Ом∙см. Проведены спектрометрические измерения кристаллов Cd₀,₉Zn₀,₁Te, показавшие, что полученные спектральные характеристики соответствуют требованиям, предъявляемым к чувствительным элементам рентгеновских детекторов.
chairman_dissertation_council.surname: Ковальчук М. В.
chairman_dissertation_council.position: зав.отделом
chairman_dissertation_council.degree: Доктор физико-математических наук
organization_supervisor.surname: Алексеева О. А.
organization_supervisor.position: директор
organization_supervisor.degree: Кандидат физико-математических наук
rubrics.code: 29.19.25
rubrics.name: Взаимодействие проникающего излучения с твердыми телами
rubrics.code: 29.19.11
rubrics.name: Дефекты кристаллической структуры
rubrics.code: 29.19.31
rubrics.name: Полупроводники
oecds.code: 01.04.EI
oecds.name: CHEMISTRY, PHYSICAL
oecds.code: 01.03.UK
oecds.name: PHYSICS, CONDENSED MATTER
oecds.code: 01.01.UR
oecds.name: PHYSICS, MATHEMATICAL
speciality_codes.name: Физика конденсированного состояния
speciality_codes.code: 01.04.07
supervisors.fio: Каневский В.М.
supervisors.scientific_degree: Доктор физико-математических наук
supervisors.speciality_code: Физика полупроводников
supervisors.responsible_type: Научный руководитель
opponents.fio: Маренкин С.Ф.
opponents.scientific_degree: Доктор химических наук
opponents.speciality_code: Неорганическая химия
opponents.responsible_type: Оппонент
opponents.fio: Платунов М.С.
opponents.scientific_degree: Кандидат физико-математических наук
opponents.speciality_code: Физика конденсированного состояния
opponents.responsible_type: Оппонент
protection_organization.short_name: ФНИЦ "Кристаллография и фотоника" РАН
protection_organization.name: ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ "ФЕДЕРАЛЬНЫЙ НАУЧНО-ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ЦЕНТР "КРИСТАЛЛОГРАФИЯ И ФОТОНИКА" РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК"
protection_organization.ogrn: 1037739548747
protection_organization.organization_type: Организация
protection_organization.okogu: Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
protection_organization.okopf: Федеральные государственные бюджетные учреждения
author_organization.short_name: ФНИЦ "Кристаллография и фотоника" РАН
author_organization.name: ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ "ФЕДЕРАЛЬНЫЙ НАУЧНО-ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ЦЕНТР "КРИСТАЛЛОГРАФИЯ И ФОТОНИКА" РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК"
author_organization.ogrn: 1037739548747
author_organization.organization_type: Организация
author_organization.okogu: Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
author_organization.okopf: Федеральные государственные бюджетные учреждения