name: Гибкие материалы и структуры на основе фторированного графена для мемристоров
keyword_list: гибкая электроника печатная электроника поливиниловый спирт пентаксид ванадия фторированный графен Мемристор
abstract: Мемристор – (от англ. memory – память, и resistor – сопротивление) – двухполюсник в микро- и нано-электронике, способный изменять своё сопротивление. В отличие от широко распространённых транзисторов, у мемристора два контакта, что упрощает его изготовление и использование в электрических схемах. Благодаря этому преимуществу, резистивная память, как тип энергонезависимой памяти следующего поколения, в настоящее время привлекает большое внимание, поскольку рассматривается в качестве перспективной альтернативы существующим видам памяти, и прежде всего флеш-памяти.
  Цель диссертационной работы заключалась в разработке новых активных мемристорных структур на основе фторированного графена для устройств наноэлектроники, включая гибкие и печатные структуры.
  В диссертации разработаны и исследованы новые композитные материалы и мемристорные структуры на основе фторированного графена, которые демонстрируют стабильные резистивные переключения. Наиболее интересные результаты получены для следующих типов материалов и структур: (а) двухслойные структуры фторированный графен с квантовыми точками графена на пленке поливинилового спирта, (б) пленки из композитного материала на основе фторированного графена с наночастицами V2O5, в) наночастицы ядро-оболочка (ядро - V2O5, оболочка – фторированный графен)  в качестве основы для наномемристора.
  Впервые показано, что из композитного материала на основе наночастиц V2O5 капсулированных фторированным графеном формируются мемристоры с биполярными переключениями и рекордно большой величиной изменения проводимости от закрытого состояния в открытое в 109 раз. Для переключения кроссбар структур достаточно импульса напряжения длительностью около 30 нс и амплитудой 2,5 В. Эффект резистивных переключений сохраняется при радиусе изгиба структур до 2,5 мм. Предложена качественная модель эффекта резистивных переключений в мемристорных структурах на основе наночастиц кристаллогидрата V2O5 с последовательно включёнными барьерами из фторированного графена. Установлено, что отдельные наночастицы ядро-оболочка (ядро - наночастица V2O5, оболочка - наноплёнка фторированного графена) демонстрируют стабильные биполярные переключения сопротивления величиной до 5-ти порядков. 
  Показано, что двухслойные мемристорные структуры из поливинилового спирта и плёнки фторированного графена с квантовыми точками графена демонстрируют при переключениях изменение тока на 4-5 порядков. Эффект резистивных переключений сохраняется при радиусе изгиба структур до 1,9 мм. Высокая эффективность переключателей обусловлена участием квантовых точек графена и электрически активных центров на интерфейсе в формировании проводящих каналов под действием электрического поля.
chairman_dissertation_council.name: Александр
chairman_dissertation_council.surname: Асеев
chairman_dissertation_council.patronymic: Леонидович
chairman_dissertation_council.position: заведующий отделом
chairman_dissertation_council.degree: Доктор физико-математических наук
chairman_dissertation_council.rank: Академик
chairman_dissertation_council.wos_research_id: -
chairman_dissertation_council.scopus_author_id: -
chairman_dissertation_council.rinc_id: -
chairman_dissertation_council.territory: РОССИЯ
organization_supervisor.name: Александр
organization_supervisor.surname: Латышев
organization_supervisor.patronymic: Васильевич
organization_supervisor.position: директор
organization_supervisor.territory: РОССИЯ
rubrics.code: 29.19.22
rubrics.name: Физика наноструктур. Низкоразмерные структуры. Мезоскопические структуры
oecds.code: 01.03.UK
oecds.name: PHYSICS, CONDENSED MATTER
speciality_codes.name: Физика конденсированного состояния
speciality_codes.code: 01.04.07
supervisors.fio: Антонова Ирина Вениаминовна
supervisors.scientific_degree: Доктор физико-математических наук
supervisors.speciality_code: Физика полупроводников
supervisors.responsible_type: Научный руководитель
opponents.fio: Сорокин Павел Борисович
opponents.scientific_degree: Доктор физико-математических наук
opponents.speciality_code: Физика конденсированного состояния
opponents.responsible_type: Оппонент
opponents.fio: Пономарев Александр Николаевич
opponents.scientific_degree: Кандидат физико-математических наук
opponents.speciality_code: Физика конденсированного состояния
opponents.responsible_type: Оппонент
protection_organization.short_name: ИФП СО РАН
protection_organization.name: ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ НАУКИ ИНСТИТУТ ФИЗИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ИМ. А.В. РЖАНОВА СИБИРСКОГО ОТДЕЛЕНИЯ РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК
protection_organization.ogrn: 1025403651283
protection_organization.supervisor_name: АЛЕКСАНДР
protection_organization.supervisor_surname: ЛАТЫШЕВ
protection_organization.supervisor_patronymic: ВАСИЛЬЕВИЧ
protection_organization.organization_type: Организация
protection_organization.okogu: Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
protection_organization.okopf: Федеральные государственные бюджетные учреждения
author_organization.short_name: ИФП СО РАН
author_organization.name: ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ НАУКИ ИНСТИТУТ ФИЗИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ИМ. А.В. РЖАНОВА СИБИРСКОГО ОТДЕЛЕНИЯ РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК
author_organization.ogrn: 1025403651283
author_organization.supervisor_name: АЛЕКСАНДР
author_organization.supervisor_surname: ЛАТЫШЕВ
author_organization.supervisor_patronymic: ВАСИЛЬЕВИЧ
author_organization.organization_type: Организация
author_organization.okogu: Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
author_organization.okopf: Федеральные государственные бюджетные учреждения