name: Оптические и фотоэлектрические свойства нитрида индия
keyword_list: нитрид индия, нитриды III группы, полупроводники A3B5, полупроводниковые соединения индия, узкозонные полупроводники, инфракрасная Фурье-спектроскопия, спектры фотовозбуждения, коэффициент поглощения, фотолюминесценция, фотопроводимость, фотоэлектрические свойства, быстрая кинетика, фотоотклик, отрицательная фотопроводимость, низкие температуры, молекулярно-пучковая эпитаксия, межзонные переходы, коэффициент усиления, стимулированное излучение
abstract: В диссертационной работе было проведено спектроскопическое исследование фотопроводимости, поглощения, спонтанной и стимулированной эмиссии эпитаксиальных гетероструктур с активным слоем монокристаллического нитрида индия. Полученные спектры фотопроводимости определяются прямыми межзонными переходами в вырожденном полупроводнике с шириной запрещенной зоны Eg(n=0), равной 0.67 и 0.61 эВ при T=4.2K и комнатной температуре, соответственно. В высоколегированных слоях InN, выращенных в металлообогащенных условиях, впервые наблюдалась низкоэнергетическая полоса переходов в спектрах спонтанной ФЛ, которая может быть отнесена к рекомбинационным излучательным переходам свободных электронов в локализованное состояние акцептора с энергией ~100 мэВ относительно валентной зоны. Впервые в нитриде индия наблюдалась абсолютная отрицательная межзонная фотопроводимость с временным разрешением до 7 нс, которая связывается с уменьшением подвижности электронов вследствие образования при фотовозбуждении дополнительных рассеивающих центров. Получено стимулированное излучение с длиной волны от 1.662 до 1.896 мкм в монокристаллических эпитаксиальных слоях нитрида индия c концентрацией равновесных электронов n=0.3÷10×10^18 см^-3 в интервале температур от 6 до 215К при импульсном оптическом возбуждении. Коэффициент усиления по экспериментальным оценкам в наиболее чистых образцах при температуре Т=78К превышает 200 см^-1.
chairman_dissertation_council.name: Сергей
chairman_dissertation_council.surname: Гапонов
chairman_dissertation_council.patronymic: Викторович
chairman_dissertation_council.position: советник РАН
chairman_dissertation_council.degree: Доктор физико-математических наук
chairman_dissertation_council.rank: Академик
chairman_dissertation_council.wos_research_id: нет
chairman_dissertation_council.scopus_author_id: 7004324750
chairman_dissertation_council.rinc_id: 22942
chairman_dissertation_council.orcid: нет
chairman_dissertation_council.territory: РОССИЯ
organization_supervisor.name: Михаил
organization_supervisor.surname: Глявин
organization_supervisor.patronymic: Юрьевич
organization_supervisor.position: Заместитель директора по научной работе
organization_supervisor.territory: РОССИЯ
rubrics.code: 29.19.31
rubrics.name: Полупроводники
oecds.code: 01.03.UK
oecds.name: PHYSICS, CONDENSED MATTER
speciality_codes.name: Электронная компонентная база микро- и наноэлектроники, квантовых устройств
speciality_codes.code: 2.2.2.
supervisors.fio: Андреев Б.А.
supervisors.scientific_degree: Доктор физико-математических наук
supervisors.speciality_code: Физика полупроводников
supervisors.responsible_type: Научный руководитель
opponents.fio: Цырлин Г.Э.
opponents.scientific_degree: Доктор физико-математических наук
opponents.speciality_code: Физика полупроводников
opponents.responsible_type: Оппонент
opponents.fio: Журавлев К.С.
opponents.scientific_degree: Доктор физико-математических наук
opponents.speciality_code: Физика полупроводников
opponents.responsible_type: Оппонент
protection_organization.short_name: ИПФ РАН
protection_organization.name: ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ НАУЧНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ "ФЕДЕРАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ЦЕНТР ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНОЙ ФИЗИКИ РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК"
protection_organization.ogrn: 1025203020193
protection_organization.supervisor_name: ГРИГОРИЙ
protection_organization.supervisor_surname: ДЕНИСОВ
protection_organization.supervisor_patronymic: ГЕННАДЬЕВИЧ
protection_organization.organization_type: Организация
protection_organization.okogu: Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
protection_organization.okopf: Федеральные государственные бюджетные учреждения
author_organization.short_name: ИПФ РАН
author_organization.name: ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ НАУЧНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ "ФЕДЕРАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ЦЕНТР ИНСТИТУТ ПРИКЛАДНОЙ ФИЗИКИ РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК"
author_organization.ogrn: 1025203020193
author_organization.supervisor_name: ГРИГОРИЙ
author_organization.supervisor_surname: ДЕНИСОВ
author_organization.supervisor_patronymic: ГЕННАДЬЕВИЧ
author_organization.organization_type: Организация
author_organization.okogu: Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
author_organization.okopf: Федеральные государственные бюджетные учреждения