name: Теоретическое и экспериментальное исследование эффектов объемной неустойчивости в нитевидных нанокристаллах нитрида галлия
keyword_list: диод Ганна, GaN, нитрид галлия, нитевидный нанокристалл, ВАХ, моделирование, молекулярно-пучковая эпитаксия, легирование
abstract: Работа посвящена созданию и исследованию приборов с объемной неустойчивостью носителей заряда на основе эпитаксиальных нитевидных нанокристаллов нитрида галлия (GaN ННК). Целью работы является теоретическое описание режимов работы структур с объемной электронной неустойчивостью на основе одиночных нитевидных нанокристаллов нитрида галлия, учитывающее двухзонную модель электронов в зоне проводимости, и экспериментальное создание структур для исследования диодов Ганна. В результате проделанной работы было сформулировано расширение системы уравнений Русброека, пригодное для описания электронов, находящихся в нескольких долинах зоны проводимости. Проведено моделирование режимов работы диода Ганна на основе нитевидных нанокристаллов (GaN ННК) с учетом состояний на боковой поверхности ННК и тепловыделением. Теоретически показана возможность генерации СВЧ колебаний тока с частотой до 1 ТГц на основе одиночных GaN ННК. Проведена отработка процесса синтеза GaN ННК с неоднородным профилем легирования (n+ – n – n+). Проведено формирование экспериментальных образцов путем формирования контактов к одиночным GaN ННК, перенесенных на теплоотводящую электроизолирующую подложку, с помощью методов фотолитографии и термического напыления металлов в вакууме. Измерения показывают наличие участка отрицательной дифференциальной проводимости на вольт-амперной характеристике при превышении критической плотности тока 1.3 МА/см^2, что подтверждает возникновение объемной неустойчивости в GaN ННК.
chairman_dissertation_council.surname: Романов А.Е.
chairman_dissertation_council.position: профессор (квалификационная категория "ведущий профессор") факультета лазерной фотоники и оптоэлектроники
chairman_dissertation_council.degree: Доктор физико-математических наук
organization_supervisor.surname: Васильев В. Н.
organization_supervisor.position: Ректор
organization_supervisor.degree: Доктор технических наук
rubrics.code: 47.03.10
rubrics.name: Теоретические основы электронной техники СВЧ
rubrics.code: 29.35.47
rubrics.name: Твердотельные приборы СВЧ-диапазона
rubrics.code: 29.19.31
rubrics.name: Полупроводники
oecds.code: 01.03.UK
oecds.name: PHYSICS, CONDENSED MATTER
speciality_codes.name: Физика полупроводников
speciality_codes.code: 01.04.10
supervisors.fio: Мухин И.С.
supervisors.scientific_degree: Доктор физико-математических наук
supervisors.speciality_code: Приборы и методы экспериментальной физики
supervisors.responsible_type: Научный руководитель
opponents.fio: Бойко О.В.
opponents.responsible_type: Оппонент
opponents.fio: Вывенко О.Ф.
opponents.scientific_degree: Доктор физико-математических наук
opponents.responsible_type: Оппонент
protection_organization.short_name: УНИВЕРСИТЕТ ИТМО; НИУ ИТМО; ИТМО
protection_organization.name: ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ АВТОНОМНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ ИТМО"
protection_organization.ogrn: 1027806868154
protection_organization.organization_type: Организация
protection_organization.okogu: Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
protection_organization.okopf: Федеральные государственные автономные учреждения
author_organization.short_name: СПБАУ РАН ИМ. Ж.И. АЛФЕРОВА, АКАДЕМИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ ИМ. Ж.И. АЛФЕРОВА, АЛФЕРОВСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ
author_organization.name: ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ "САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКИЙ НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ АКАДЕМИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ ИМЕНИ Ж.И. АЛФЕРОВА РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК"
author_organization.ogrn: 1027802511879
author_organization.organization_type: Организация
author_organization.okogu: Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
author_organization.okopf: Федеральные государственные бюджетные учреждения