name: Влияние условий формирования на особенности атомного строения и оптических свойств широкозонных полупроводниковых микро- и наноструктур MoО₃ и МоS₂
keyword_list: ШИРОКОЗОННЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СОЕДИНЕНИЯ, ГАЗОТРАНСПОРТНЫЙ СИНТЕЗ, ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ УСЛОВИЯ, МОНОМОЛЕКУЛЯРНЫЕ И МОНОСЛОЙНЫЕ ПЛЕНКИ
abstract: Триоксид и дисульфид молибдена МоO₃ и MoS₂ являются перспективным полупроводниковыми материалами из-за широкого набора интересных свойств, обусловленных способами получения, включая фоточувствительные и каталитические свойства, которые находят применение в электронных устройствах отображения, оптических запоминающих устройствах, газовых датчиках и литиевых батареях. В зависимости от способа получения МоО₃ ширина запрещенной зоны прямозонного полупроводника изменяется в интервале 3,3 - 3,8 эВ. Дисульфид молибдена MoS₂ особенно интересен благодаря возможности получить контролируемое количество молекулярных слоев исходных структур. Они рассматриваются в качестве двумерных 2D-материалов, которые могут дополнить графен, не имеющий запрещенной зоны, для создания устройств опто- и наноэлектроники.
chairman_dissertation_council.surname: Терехов В. А.
chairman_dissertation_council.position: профессор
chairman_dissertation_council.degree: Доктор физико-математических наук
organization_supervisor.surname: Ендовицкий Д. А.
organization_supervisor.position: Ректор
organization_supervisor.degree: Доктор экономических наук
rubrics.code: 29.19.22
rubrics.name: Физика наноструктур. Низкоразмерные структуры. Мезоскопические структуры
rubrics.code: 29.19.16
rubrics.name: Физика тонких пленок. Поверхности и границы раздела
rubrics.code: 29.19.31
rubrics.name: Полупроводники
oecds.code: 01.03.UI
oecds.name: PHYSICS, MULTIDISCIPLINARY
oecds.code: 02.05.PM
oecds.name: MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY
oecds.code: 01.03.UB
oecds.name: PHYSICS, APPLIED
speciality_codes.name: Физика полупроводников
speciality_codes.code: 01.04.10
supervisors.fio: Домашевская Э. П.
supervisors.scientific_degree: Доктор физико-математических наук
supervisors.speciality_code: Физика конденсированного состояния
supervisors.responsible_type: Научный руководитель
opponents.fio: Котов Г.И.
opponents.scientific_degree: Доктор физико-математических наук
opponents.speciality_code: Физика полупроводников
opponents.responsible_type: Оппонент
opponents.fio: Стогней О.В.
opponents.scientific_degree: Доктор физико-математических наук
opponents.speciality_code: Физика конденсированного состояния
opponents.responsible_type: Оппонент
protection_organization.short_name: ФГБОУ ВО "ВГУ"
protection_organization.name: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Воронежский государственный университет"
protection_organization.ogrn: 1023601560510
protection_organization.organization_type: Организация
protection_organization.okogu: Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
protection_organization.okopf: Федеральные государственные бюджетные учреждения
author_organization.short_name: ФГБОУ ВО "ВГУ"
author_organization.name: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Воронежский государственный университет"
author_organization.ogrn: 1023601560510
author_organization.organization_type: Организация
author_organization.okogu: Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
author_organization.okopf: Федеральные государственные бюджетные учреждения