name: Сверхструктурные переходы при синтезе гетероэпитаксиальных пленок Ge/Si, GeSi/Si методом молекулярно-лучевой эпитаксии
keyword_list: молекулярно-лучевая эпитаксия квантовые точки наногетероструктура двумерные слои дифракция быстрых отраженных электронов латеральный размер плотность массива скорость нуклеации сверхструктурные переходы
abstract: Объект исследования: гетероструктуры германий-кремний. Цель работы: исследование динамики сверхструктурных реконструкций при эпитаксиальном росте Ge/Si, GeSi/Si в зависимости от параметров ростовых процессов. Методы исследования: метод дифракции быстрых отраженных электронов, атомно-силовая микроскопия, сканирующая электронная микроскопия, рентгеновская дифрактометрия, низкотемпературная фотолюминесценция. Полученные результаты и их новизна: представлены результаты исследования температурной зависимости перехода из сверхструктуры 7x7 в 5x5 и определены значения критической толщины двумерного слоя при эпитаксиальном росте Ge на Si(111) с помощью метода дифракции быстрых отраженных электронов в широком диапазоне температур; исследованы динамики изменения реконструкции 2xN при эпитаксиальном росте Ge/Si(001), GeSi/Si(001) с помощью метода дифракции быстрых отраженных электронов; показано, что длина димерных рядов в такой реконструкции при росте чистого германия на кремнии может достигать величины не менее N = 11; получены детальные зависимости параметра периодичности N реконструкции типа 2xN от эффективной толщины осажденного материала в широком интервале ростовых температур и составов при эпитаксии чистого германия и твердого раствора германий-кремний на поверхность кремния с кристаллографической ориентацией (001); построена кинетическая модель роста Ge/Si(001) с учетом экспериментально полученной зависимости рассогласования решеток и поверхностных энергий от толщины двумерного слоя. Область применения: разработка технологического процесса получения гетероструктур германий-кремний для создания напряженные гетероэпитаксиальных слоев.
chairman_dissertation_council.name: Алексей
chairman_dissertation_council.surname: Шарапов
chairman_dissertation_council.patronymic: Анатольевич
chairman_dissertation_council.position: Профессор
chairman_dissertation_council.degree: Доктор физико-математических наук
chairman_dissertation_council.rank: Профессор
chairman_dissertation_council.wos_research_id: О-6700-2014
chairman_dissertation_council.scopus_author_id: 7003922358
chairman_dissertation_council.rinc_id: 34484
chairman_dissertation_council.orcid: 0000-0002-1519-865X
chairman_dissertation_council.territory: РОССИЯ
organization_supervisor.name: Эдуард
organization_supervisor.surname: Галажинский
organization_supervisor.patronymic: Владимирович
organization_supervisor.position: Ректор
organization_supervisor.territory: РОССИЯ
rubrics.code: 47.13.07
rubrics.name: Технология и оборудование для производства приборов и устройств наноэлектроники
oecds.code: 01.03.UK
oecds.name: PHYSICS, CONDENSED MATTER
speciality_codes.name: Физика полупроводников
speciality_codes.code: 1.3.11.
supervisors.fio: Коханенко А.П.
supervisors.scientific_degree: Доктор физико-математических наук
supervisors.speciality_code: Физика полупроводников
supervisors.responsible_type: Научный руководитель
opponents.fio: Варнаков С.Н.
opponents.scientific_degree: Доктор физико-математических наук
opponents.speciality_code: Физика конденсированного состояния
opponents.responsible_type: Оппонент
opponents.fio: Никифоров А.И.
opponents.scientific_degree: Доктор физико-математических наук
opponents.speciality_code: Физика конденсированного состояния
opponents.responsible_type: Оппонент
opponents.fio: Панин А.В.
opponents.scientific_degree: Доктор физико-математических наук
opponents.speciality_code: Физика конденсированного состояния
opponents.responsible_type: Оппонент
protection_organization.short_name: НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ТОМСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ, ТОМСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ, НИ ТГУ, ТГУ
protection_organization.name: ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ АВТОНОМНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ТОМСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ"
protection_organization.ogrn: 1027000853978
protection_organization.supervisor_name: ЭДУАРД
protection_organization.supervisor_surname: ГАЛАЖИНСКИЙ
protection_organization.supervisor_patronymic: ВЛАДИМИРОВИЧ
protection_organization.organization_type: Организация
protection_organization.okogu: Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
protection_organization.okopf: Федеральные государственные автономные учреждения
author_organization.short_name: НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ТОМСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ, ТОМСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ, НИ ТГУ, ТГУ
author_organization.name: ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ АВТОНОМНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ТОМСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ"
author_organization.ogrn: 1027000853978
author_organization.supervisor_name: ЭДУАРД
author_organization.supervisor_surname: ГАЛАЖИНСКИЙ
author_organization.supervisor_patronymic: ВЛАДИМИРОВИЧ
author_organization.organization_type: Организация
author_organization.okogu: Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
author_organization.okopf: Федеральные государственные автономные учреждения